技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤a：提供半导体衬底；步骤b：在所述半导体衬底上形成具有开口的绝缘层以及位于所述开口中的硅层，在所述开口区域以及所述开口区域下方的半导体衬底表层形成重掺杂区；步骤c：在所述绝缘层上形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：在所述栅极两侧形成源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤b包括：在所述半导体衬底上形成绝缘层和覆盖所述绝缘层的图案化第一掩膜层；在所述开口底部外延形成硅层，并以所述图案化第一掩膜层为掩膜进行掺杂，以使所述硅层及所述硅层下方的半导体衬底表层成为重掺杂区域。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述开口的截面形状为“哑铃状”。4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤c包括：在所述硅层上方外延形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第二掩膜层；去除所述第一掩膜层；去除所述牺牲层；在所述绝缘层上外延形成包围所述第二掩膜层的半导体层，所述半导体层与所述开口对应的区域用作沟道区域；去除所述第二掩膜层，以在所述半导体层上形成沟槽；形成覆盖所述沟槽和所述半导体层的栅极氧化层和栅极材料层；蚀刻所述栅极氧化层和栅极材料层形成栅极。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述源区、漏区形成有硅化物。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层\t为二氧化硅层。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟道区域为未掺杂层或轻掺杂层。8.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述重掺杂区为P型重掺杂区。9.一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的绝缘层，位于开口内的硅层，以及位于开口上方的沟道区、栅极氧化层和栅极，以及位于所述栅极两侧的源区和漏区；其中，所述开口内和开口下方的半导体衬底表层形成重掺杂区；所述源区和漏区与所述沟道区域形成肖特基接触。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述源区、漏区形成有硅化物。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。12.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道区域为未掺杂层或轻掺杂层。13.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述重掺杂区为P型重掺杂区。14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9-13之一所述的半导体器件。