技术总结
本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；通过利用化学溶液蚀刻第一半导体层的至少一部分使第一基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
技术研发人员：金彰渊;酒井士郎;金华睦;李俊熙;文秀荣;金京完
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司
文档号码：201510088799
技术研发日：2010.07.22
技术公布日：2018.01.05