1.一种半导体装置的制造方法，包含：
准备包含多个凸起部形成在一基板上的一晶圆，这些突起部向上突起在该基板的一表面并且具有从该基板的该表面上测量的一高度；
决定代表相邻的这些突起部之间的间隔的分布的一间隔分布；
基于该高度和该间隔分布计算一注入角度，该注入角度为该基板的一法线方向和一注入方向之间的一角度；以及
以计算的该注入角度注入离子。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中计算该注入角度的步骤包含：
从该间隔分布中选择一第一间隔及一第二间隔，该第一间隔小于该第二间隔；
基于该高度及该第一间隔计算一第一角度；
基于该高度及该第二间隔计算一第二角度；以及
设定小于该第二角度并大于或等于该第一角度的一第三角度作为该注入角度。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中设定该第三角度作为该注入角度的步骤包含设定该第三角度等于该第一角度作为该注入角度。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中选择该第一间隔及该第二间隔的步骤包含：
从该间隔分布中选择一最小间隔作为该第一间隔；以及
从该间隔分布中选择一最大间隔作为该第二间隔。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中准备包含这些凸起部的该晶圆的步骤包含准备包含多个晶体管的多个栅极结构的该晶圆。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中准备包含这些晶体管的这些栅极结构的该晶圆的步骤包含准备包含多个金属氧化物半导体场效应晶体管的这些栅结构的该晶圆。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其中准备包含这些晶体管的这些栅极结构的该晶圆的步骤包含准备包含多个氧化物氮化物氧化物(ONO) 存储器单元的这些栅结构的该晶圆。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其中准备包含这些晶体管的这些栅极结构的该晶圆的步骤包含准备包含多个浮栅存储器单元的这些栅结构的该晶圆。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中准备包含这些凸起部的该晶圆的步骤包含准备包含由一单一材料形成的该图案化层的该晶圆。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中准备包含由该单一材料形成的该图案化层的该晶圆的步骤包含准备包含由一氧化物、一氮化物、一氮氧化物、一半导体、一金属或一光刻胶形成的一图案化层的该晶圆。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中准备包含这些凸起部的该晶圆的步骤包含准备包含由一多层材料形成的该图案化层的该晶圆。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中准备包含由该多层材料形成的该图案化层的该晶圆的步骤包含准备包含由一氧化物、一氮化物、一氮氧化物、一半导体、一金属或一光刻胶的至少两个形成的一图案化层的该晶圆，其中一材料叠层在另一材料之上。
13.根据权利要求1所述的制造方法，其中准备包含这些凸起部的该晶圆的步骤包含准备包含形成在一硅基板上的这些突起部的该晶圆。
14.根据权利要求1所述的制造方法，其中准备包含这些凸起部的该晶圆的步骤包含准备包含形成在一硅上绝缘体基板上的这些突起部的该晶圆。
15.根据权利要求1所述的制造方法，其中决定该间隔分布的步骤包含决定代表沿着该晶圆的一字线方向的相邻的这些突起部之间的间隔的分布的该间隔分布。
16.根据权利要求1所述的制造方法，其中决定该间隔分布的步骤包含决定代表沿着该晶圆的一位线方向的相邻的这些突起部之间的间隔的分布的该间隔分布。
17.根据权利要求1所述的制造方法，其中决定该间隔分布的步骤包含：
从该晶圆切割一样本条；
测量该样本条上的相邻的这些突起部之间的间隔；以及
设定代表该样本条上的相邻的这些突起部之间的间隔的分布的一样本间隔分布作为该间隔分布。
18.根据权利要求1所述的制造方法，其中决定该间隔分布的步骤包含：
测量相似于该晶圆的一样本晶圆上的相邻的这些突起部之间的间隔，该样本晶圆与该晶圆于相似条件下形成多个凸起部；以及
设定代表该样本晶圆的相邻的这些突起部之间的间隔的分布的一统计间隔分布作为该间隔分布。
19.根据权利要求1所述的制造方法，其中注入离子的步骤包含注入砷离子、硼离子、铟离子、锑离子、氮离子、锗离子、碳离子、或磷离子的至少一个。
20.一种半导体，包含：
一基板；
多个突起部，形成在该基板上，这些突起部向上突起在该基板的一表面，并且相邻的这些突起部的多个间隔互不相同的；以及
多个掺杂区，形成在该基板中并形成在这些突起部之间，这些掺杂区对应这些间隔并且包含多个不同的掺杂浓度。
21.根据权利要求20所述的半导体，其中在这些掺杂区中的这些掺杂浓度与这些间隔成正比。
22.根据权利要求20所述的半导体，其中这些突起部具有近乎相同的高度。
23.根据权利要求20所述的半导体，其中这些突起部包含多个晶体管的多个栅极结构。
24.根据权利要求20所述的半导体，其中这些突起部属于一图案化层。
25.根据权利要求20所述的半导体，其中该图案化层包含一单一材料图案化层。
26.根据权利要求20所述的半导体，其中该图案化层包含一多层材料图案化层。
27.根据权利要求20所述的半导体，其中该突起部沿着该半导体装 置的一字线方向被设置。
28.根据权利要求20所述的半导体，其中该突起部沿着该半导体装置的一位线方向被设置。
29.根据权利要求20所述的半导体，其中该掺杂区掺杂砷离子、硼离子、铟离子、锑离子、氮离子、锗离子、碳离子、或磷离子的至少一个。