1.一种器件，包括：
半导体衬底；
隔离区，延伸至所述半导体衬底内；
半导体鳍，位于所述隔离区的相对部分之间，其中，所述半导体鳍位于所述隔离区的顶面上方；
栅极堆叠件，与所述半导体鳍重叠；以及
源极/漏极区，位于所述栅极堆叠件的侧部上并且连接至所述半导体鳍，其中，所述源极/漏极区包括：
内部，比所述半导体鳍薄，其中，所述半导体鳍和所述源极/漏极区的所述内部具有相同的IV族半导体的组分；和
外部，位于所述内部外侧。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述内部的顶面低于所述半导体鳍的顶面。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述源极/漏极区的所述内部的第一宽度为所述半导体鳍的第二宽度的约50％至约70％，其中，在与包括所述源极/漏极区的鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极至漏极方向垂直的方向上测量所述第一宽度和所述第二宽度。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极堆叠件和所述源极/漏极区包括在n型鳍式场效应晶体管(FinFET)中，并且所述内部包括硅且不含锗，并且其中，所述外部包括硅磷。
5.根据权利要求4所述的器件，还包括：
两个SiGeOx区，其中，所述SiGeOx区的内部与所述半导体鳍重叠。
6.根据权利要求5所述的器件，还包括：
硅锗区，位于所述两个SiGeOx区之间。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极堆叠件和所述源极/漏极区包括在p型鳍式场效应晶体管(FinFET)中，并且所述内部包括具有第一锗百分比的硅锗，并且所述外部包括具有大于所述第一锗百分比的 第二锗百分比的硅锗。
8.根据权利要求7所述的器件，还包括：
硅层，位于所述源极/漏极区的所述内部下面；以及
附加硅锗层，位于所述硅层下面并且位于所述半导体衬底上面。
9.一种器件，包括：
硅衬底；
隔离区，延伸至所述硅衬底内；以及
p型鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：
硅锗鳍，所述硅锗鳍包括中间部分和位于所述中间部分的相对两侧上的端部，其中，所述中间部分的顶面高于所述端部的顶面，并且其中，所述硅锗鳍具有第一锗百分比；
栅极堆叠件，与所述硅锗鳍的所述中间部分重叠；和
源极/漏极区，包括作为内部的所述硅锗鳍的所述端部中的一个以及位于所述内部外侧的硅锗区，其中，所述硅锗区具有高于所述第一锗百分比的第二锗百分比。
10.一种方法，包括：
使半导体条的相对两侧上的隔离区凹进以形成半导体鳍，其中，所述半导体鳍位于所述隔离区的顶面上方；
在所述半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成栅极堆叠件；
减薄所述半导体鳍的端部；以及
实施外延以在所述半导体鳍的减薄的端部上生长半导体区，其中，所述半导体鳍的所述减薄的端部和所述半导体区组合形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极/漏极区。