1.一种超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，包括：
在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；
在所述缓冲槽内形成介质层；
在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，
其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。
2.根据权利要求1所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，包括以下具体步骤：
采用化学气相淀积工艺在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成一层多晶硅层；
对所述一层多晶硅层进行P型注入处理，并进行退火处理以形成一层P型多晶硅基层；
根据所述缓冲槽的槽深进行至少一次P型多晶硅基层的制备，以形成所述P型多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，包括以下具体步骤：
采用化学气相淀积工艺在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成一层多晶硅层；
对所述一层多晶硅层进行P型注入处理；
根据所述缓冲槽的槽深进行至少一次P型多晶硅基层的制备，以形成所述P型多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，包括以下 具体步骤：
判断所述P型多晶硅层的厚度是否大于或等于指定厚度；
在判定所述P型多晶硅层的厚度大于或等于指定厚度时，去除所述掩膜层；
对所述P型多晶硅层进行退火处理，以实现所述空穴载流子的激活。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在所述缓冲槽内形成介质层，包括以下具体步骤：
采用化学气相淀积工艺在所述缓冲槽的侧壁和底壁形成所述介质层，其中，所述介质层为氧化层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在所述缓冲槽内形成介质层，包括以下具体步骤：
采用热氧化工艺在所述缓冲槽的侧壁和底壁形成所述介质层，其中，所述介质层为氧化层。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽前，包括以下具体步骤：
通过外延生长工艺在所述N型衬底上形成所述N型外延层；
在所述N型外延层上形成图形化的掩膜层；
通过图形化的所述掩膜层对所述N型外延层进行刻蚀处理，以形成所述缓冲槽。
8.根据权利要求7所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，去除所述掩膜层，包括以下具体步骤：
采用化学机械平坦化工艺对所述掩膜层进行平坦化处理，以去除所述掩膜层。
9.根据权利要求7所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，去除所述掩膜层，包括以下具体步骤：
采用刻蚀工艺对所述形成所述掩膜层进行处理，以去除所述掩膜层。
10.一种超结型功率管，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的超结型功率管的缓冲层的制备方法制备而成。