显示装置的制作方法

本发明是有关于一种光电装置，且特别是有关于一种显示装置。

背景技术：

以显示介质的种类来区分，显示装置可分为多种，例如：液晶显示装置、有机发光二极管显示装置、电泳显示装置等，其中有机发光二极管显示装置具有易薄型化、高色彩饱和度等优点，因此近年来备受重视。

一般而言，有机发光二极管显示装置的色彩化机制可分为二种。一种色彩化机制是，有机发光二极管显示装置具有能够分别发出红光、绿光及蓝光的多个有机发光单元，通过各色光的有机发光单元来显示彩色画面。然而，受限于红光、绿光及蓝光有机发光单元的制程能力要求较高及材料价格居高不下的问题，此类显示装置的应用并不普及。另一种色彩化机制是，有机发光二极管显示装置利用能够发光的有机发光单元(例如：白光有机发光二极管层)与彩色滤光阵列互相搭配，以显示彩色画面。受惠于能够发光的有机发光单元(例如：白光有机发光二极管层)的制程简单及彩色滤光阵列的技术成熟，此类显示装置的应用相对普及。然而，由于彩色滤光阵列的滤光作用会大幅损耗来自显示单元的光能，因此，此类的显示装置仍有耗能的缺点。

技术实现要素：

本发明提供一种显示装置，可显示彩色画面还可有效利用能源。

本发明提供一种显示装置，包括第一基板、相对于第一基板的第二基板、配置于第一基板与第二基板之间的像素阵列以及配置于像素阵列与第二基板之间的光电转换阵列。像素阵列包括多个子像素单元。来自每一子像素单元的初始光经过光电转换阵列转换成电能与显示光。电能被储存而显示光穿出第二基板以显示画面。相邻两个子像素单元呈现的显示光具有不同波长。光电转换阵列包括多个光电转换胞。每一光电转换胞的面积遮盖两个相邻的子 像素单元并部分重叠另一个光电转换胞的面积。遮盖同一个子像素单元的不同光电转换胞具有不同的吸收波长。

在本发明的一实施例中，上述的子像素单元包括多个第一子像素单元、多个第二子像素单元与多个第三子像素单元。光电转换胞包括多个第一光电转换胞、多个第二光电转换胞与多个第三光电转换胞。每一第一光电转换胞、每一第二光电转换胞以及每一第三光电转换胞分别具有不同的吸收波长。每一第一子像素单元被相重叠的其中一个第二光电转换胞以及其中一个第三光电转换胞遮盖且被第一光电转换胞暴露，使得来自每一第一子像素单元的初始光所转换成的显示光具有第一颜色。每一第二子像素单元被相重叠的其中一个第一光电转换胞以及其中一个第三光电转换胞遮盖且被第二光电转换胞暴露，使得自每一第二子像素单元的初始光所转换成的显示光具有第二颜色。每一第三子像素单元被相重叠的其中一个第一光电转换胞以及其中一个第二光电转换胞遮盖且被第三光电转换胞暴露，使得自每一第三子像素单元的初始光所转换成的显示光具有第三颜色。

在本发明的实施例中，上述的每一第一光电转换胞的吸收波长范围大于620纳米。

在本发明的实施例中，上述的每一第二光电转换胞的吸收波长范围为500纳米到620纳米。

在本发明的实施例中，上述的每一该第三光电转换胞的吸收波长范围等于或小于500纳米。

在本发明的实施例中，上述的第一光电转换胞相较于第二光电转换胞与第三光电转换胞接近像素阵列，且第一光电转换胞的吸收波长相较于第二光电转换胞与第三光电转换胞的吸收波长更长。

在本发明的实施例中，上述的每一第一光电转换胞重叠于其中一个第二光电转换胞以及其中一个第三光电转换胞而定义出遮光区。相邻两个第一光电转换胞之间的区域、相邻两个第二光电转换胞之间的区域与相邻两个第三光电转换胞之间的区域分别定义出透光区。

在本发明的实施例中，上述的每一子像素单元包括有源元件以及与有源元件电性连接的显示单元。

在本发明的实施例中，上述的显示单元为有机发光二极管。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括储电单元以及驱动单元。储电单元电性连接于光电转换胞以储存电能。驱动单元电性连接于储电单元与像素阵列之间。驱动单元运用电能而驱动子像素单元。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括电能调整单元，电性连接于光电转换胞与储电单元之间。电能调整单元接收具有不同吸收波长的光电转换胞所提供的电能，并在调整电能后将电能传递至储电单元储存。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括多个绝缘层。多个绝缘层配置于遮盖同一子像素单元的不同光电转换胞之间。

在本发明的实施例中，上述的显示装置还包括配置于第二基板与光电转换阵列之间的彩色滤光阵列。

在本发明的实施例中，上述的每一光电转换胞包括依序堆叠的第一电极、光电转换结构以及第二电极。

在本发明的实施例中，上述的光电转换结构包括吸收体与发射体。

在本发明的实施例中，上述遮盖同一子像素单元的不同光电转换胞的吸收体具有不同吸收波长。

在本发明的实施例中，上述的吸收体的材料包括CuInSe、CuInGa_(1-x)Se₂、CuInGaSeS或上述至少二者的堆叠层，且x小于1。

在本发明的实施例中，上述的发射体的材料包括硫化镉、硫化镉锌、n型化合物半导体材料或其组合。

基于上述，本发明实施例的显示装置通过光电转换阵列设置于像素阵列上方来显示彩色画面。此外，还能够将来自像素阵列的光转换为电能储存，而提高能源利用效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明实施例的显示装置的剖面示意图；

图2为本发明实施例的子像素单元的剖面示意图；

图3为本发明实施例的光电转换胞的剖面示意图；

图4为本发明实施例的显示装置的部分像素阵列、部分光电转换阵列、 电能调整单元、储电单元以及驱动单元的示意图；

图5为本发明另一实施例的显示装置的剖面示意图。

附图标记说明：

100、100A：显示装置；

110：第一基板；

120：第二基板；

130：像素阵列；

132：子像素单元；

132a：第一显示电极；

132b：第三子像素单元；

132c：第二显示电极；

132d：显示介质；

132g：第二子像素单元；

132r：第一子像素单元；

140：光电转换阵列；

142：光电转换胞；

142a：第一电极；

142b：第三光电转换胞；

142c：光电转换结构；

142d：吸收体；

142e：发射体；

142f：第二电极；

142g：第二光电转换胞；

142r：第一光电转换胞；

150：储电单元；

160：驱动单元；

170：电能调整单元；

180：绝缘层；

190：彩色滤光阵列；

192b：第三滤光图案；

192g：第二滤光图案；

192r：第一滤光图案；

194：遮光图案；

D：漏极；

DU：显示单元；

G：栅极；

I：电能；

L：初始光；

lr、lg、lb：显示光；

R1：透光区；

R2：遮光区；

S：源极；

SE：通道；

T：有源元件。

具体实施方式

图1为本发明实施例的显示装置的剖面示意图。请参照图1，显示装置100包括第一基板110、相对于第一基板110的第二基板120、配置于第一基板110与第二基板120之间的像素阵列130以及配置于像素阵列130与第二基板120之间的光电转换阵列140。在本实施例中，第一基板110可为透光基板、遮光基板或其组合，而第二基板120可为透光基板或透光基板与遮光基板的组合。透光基板的材质例如为玻璃、石英、有机聚合物或其它适当材料。不透光基板的材质例如为导电材料、晶圆、陶瓷、或其它适当材料。

像素阵列130包括多个子像素单元132。在本实施例中，子像素单元132可选择性地分为多个第一、二、三子像素单元132r、132g、132b。与第一子像素单元132r对应的区域用以提供具有第一颜色的显示光lr。与第二子像素单元132g对应的区域用以提供具有第二颜色的显示光lg。与第三子像素单元132b对应的区域用以提供具有第三颜色的显示光lb。显示光lr、lg、lb能够混成白光。在本实施例中，显示光lr、lg、lb的第一、二、三颜色例如为红色、 绿色与蓝色。然而，本发明不以此为限，显示光的颜色种类、子像素单元种类的数量(即显示光包括的颜色数量)均可视实际的需求做其他适当设计。举例而言，在其他实施例中，为提升显示装置的色彩饱和度，显示光可包括红光、绿光、蓝光与黄光，而子像素单元的种类可分为对应红光、绿光、蓝光与黄光的四种；为提升显示装置的亮度，显示光可包括红光、绿光、蓝光与白光，而子像素单元的种类可分为对应红光、绿光、蓝光与白光的四种，但本发明不以上述为限。

图2为本发明实施例的子像素单元的剖面示意图。请参照图2，在本实施例中，每一子像素单元132包括有源元件T以及与有源元件T电性连接的显示单元DU。有源元件T例如为具有源极S、栅极G、漏极D与通道SE的薄膜晶体管。图2的有源元件T是以底部栅极型薄膜晶体管为示例，但本发明不限于此，在其他实施例中，有源元件T也可为顶部栅极型、其他适当形式的薄膜晶体管或其他电子元件。显示单元DU在本实施例中例如为有机发光二极管，且包括第一显示电极132a、配置于第一显示电极132a上的显示介质132d以及显示介质132d上的第二显示电极132c。第一显示电极132a与有源元件T的漏极D电性连接。第一显示电极132a与第二显示电极132c其中一者作为阳极而另一者作为阴极，以控制显示介质132d的发光与否。显示介质132d例如为可发出白色初始光L的白色有机发光层。第一显示电极132a与第二显示电极132c的材料可为任何的导电材料。不过，为了让白色初始光L可穿透，第二显示电极132c的材料可选择为透光导电材料或透光导电材料与遮光导电材料的组合。举例而言，透光导电材料例如为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠。遮光导电材料例如为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层，但本发明不以此为限。

需说明的是，图2及上述的子像素单元的形式仅是用以说明本发明而非用以限制本发明。本发明的子像素单元并不限于有机发光二极管子像素单元，在其他实施例中，子像素单元也可为其他适当形式。举例而言，在其他实施例中，配置于第一显示电极132a上的显示介质132d可为其他种类，例如液晶。如此，第一显示电极132a与第二显示电极132c可以分别为像素电极与 共用电极。在显示介质夹在像素电极与共用电极之间的设计下，子像素单元可为扭转向列(Twisted Nematic，简称TN)或垂直配向(Vertically Aligned，简称VA)模式的像素单元。另外，在其他实施例中，以液晶作为显示介质时，共用电极与像素电极可以位于显示介质的同一侧。此时，子像素单元可为共面切换(In-Plane Switching，简称IPS)型或边缘电场切换(Fringe Field Switching，简称FFS)模式的子像素单元。

请参照图1，光电转换阵列140包括多个光电转换胞142。在本实施例中，多个光电转换胞142可选择性地分为多个第一、二、三光电转换胞142r、142g、142b。第一光电转换胞142r、第二光电转换胞142g以及第三光电转换胞142b分别具有不同的吸收波长。举例而言，第一光电转换胞142r用以吸收红光，第二光电转换胞142g用以吸收绿光，而第三光电转换胞142b用以吸收蓝光。每一第一子像素单元132r被相重叠的一个第二光电转换胞142g以及一个第三光电转换胞142b遮盖且被多个第一光电转换胞142r暴露。每一第二子像素单元132g被相重叠的一个第一光电转换胞142r以及一个第三光电转换胞142b遮盖且被多个第二光电转换胞142g暴露。每一第三子像素单元132b被相重叠的一个第一光电转换胞142r以及一个第二光电转换胞142g遮盖且被多个第三光电转换胞142b暴露。然而，本发明不限于此，光电转换胞种类的数量、各类光电转换胞的吸收波长以及各类光电转换胞与各类子像素单元之间的相对位置均可视实际的需求做其他适当设计。

图3为本发明实施例的光电转换胞的剖面示意图。请参照图3，在本实施例中，每一光电转换胞142包括第一电极142a、相对于第一电极142a的第二电极142f以及设置在第一、二电极142a、142f之间的光电转换结构142c。来自子像素单元的部分初始光L(绘于图1)在通过第一电极142a、光电转换结构142c以及第二电极142f后会转换为电能。换言之，每一光电转换胞可视为一个光伏电池结构。第一、二电极142a、142f可为透光导电层。透光导电层的材料例如为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠，遮光导电材料合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层，但本发明不以此为限。

详言之，光电转换胞142的光电转换结构142c可包括吸收体142d以及 设置在第二电极142f与吸收体142d之间的发射体142e，其中吸收体142d例如为具有特定能带隙的半导体层。举例而言，第一光电转换胞142r的吸收体142d的能带隙可介于1到1.2电子伏特，以吸收波长等于及大于620纳米的红光及红外光；第二光电转换胞142g的吸收体142d的能带隙可介于1.3到1.5电子伏特，以吸收波长介于500到620纳米的绿光；第三光电转换胞142b的吸收体142d的能带隙可介于1.6到1.8电子伏特，以吸收波长等于及小于500纳米的蓝光、紫光及紫外光。

在本实施例中，吸收体142d的材料例如为CuInSe、CuInGa_(1-x)Se₂、CuInGaSeS或上述至少二者的堆叠层。若吸收体142d的材料包括CuInGa_(1-x)Se₂，其中x是介于0与1之间，通过适当地设计x值能够使吸收体142d具有特定的能带隙，以吸收特定波长范围的光(例如：上述的红光、绿光及蓝光)。举例而言，根据2002年国际半导体会议论文集中第一卷(Semiconductor Conference,2002.CAS 2002 Proceedings.International(Volume:1))第199至202页的论文“Preparation of CIGS solar cell components by improved e-beam ablation technology and control of their final parameters”，当x＝0、0.25或1.0时，CuInGa_(1-x)Se₂材料的能带隙可分别为1.0、1.4或1.65电子伏特(eV)。因此，采用CuInGa_(1-x)Se₂材料制作吸收体142d时，可以通过调整x值来获得所要的能带隙。然而，调整吸收体142d能带隙的方式并不限于上述，在其他实施例中，也可通过其他适当方式(例如：改变吸收体142d的载子掺杂浓度、结晶程度等)调整吸收体142d的能带隙。发射体142e的材料可为硫化镉、硫化镉锌、n型化合物半导体材料或其他适当材料。n型化合物半导体材料例如但不限于n型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。n型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体例如硒化锌或硒化镉，但本发明不以此为限。

需说明的是，上述虽以半导体光伏电池结构为例说明光电转换胞的其中一种样态，然而，本发明的光电转换胞的形式并不限于半导体光伏电池结构。在其他实施例中，光电转换胞也可为其他适当形式的光伏电池结构，例如：染料敏化光伏电池结构、高分子掺混碳六十及其衍生物的光伏电池结构、高分子掺混无机纳米粒子的光伏电池结构、有机掺混材料的光伏电池结构等。

图4为本发明实施例的显示装置的部分像素阵列、部分光电转换阵列、电能调整单元、储电单元以及驱动单元的示意图。请参照图1及图4，来自 每一子像素单元的初始光L经过光电转换阵列140后会转换成电能I以及显示光lr、lg、lb。每一光电转换胞142的面积遮盖两个相邻的子像素单元132并部分重叠另一个光电转换胞142的面积，且遮盖同一个子像素单元132的不同光电转换胞142具有不同的吸收波长。藉此，当初始光L穿过同一子像素单元132上方的不同光电转换胞142时，部分的初始光L会被相堆叠的不同光电转换胞142吸收，进而使显示光lr、lg、lb呈现特定颜色。此外，相邻两个子像素单元132呈现的显示光lr、lg还具有不同波长(即不同的颜色)。如此一来，来自所有子像素单元132的显示光lr、lg、lb便能够组成彩色的显示画面。

举例而言，来自每一第一子像素单元132r的初始光L(例如：白光)被相重叠的一个第二光电转换胞142g以及一个第三光电转换胞142b部分吸收并穿出第二基板120后会形成具有第一颜色(例如：红色)的显示光lr。来自每一第二子像素单元132g的初始光L被相重叠的一个第一光电转换胞142r与一个第三光电转换胞142b部分吸收并穿出第二基板120后，会形成具有第二颜色(例如：绿色)的显示光lg。来自每一第三子像素单元132b的初始光L被相重叠的一个第一光电转换胞142r与一个第二光电转换胞142g部分吸收并穿出第二基板120后，会形成具有第三颜色(例如：绿色)的显示光lg。来自第一、二、三子像素单元132r、132g、132b的显示光lr、lg、lb能够组成一个具有特定色彩的显示画面。

请参照图1及图4，在本实施例中，每一第一光电转换胞142r重叠于其中一个第二光电转换胞142g以及其中一个第三光电转换胞142b而定义出一个遮光区R2。相邻两个第一光电转换胞142r之间的区域、相邻两个第二光电转换胞142g之间的区域与相邻两个第三光电转换胞142b之间的区域分别定义出一个透光区R1。每一透光区R1与其中一个子像素单元132的第一显示电极132a(示出于图2)重叠。每一遮光区R2与其中一个子像素单元132的有源元件T(示出于图2)以及其他遮光构件(例如：与有源元件T的源极S电性连接的数据线等)重叠。在每一第一子像素单元132r的透光区R1上相重叠的第二光电转换胞142g与第三光电转换胞142b还延伸至第一子像素单元132r的遮光区R2上，以和遮盖第三子像素单元132b的第一光电转换胞142r重叠而共同阻挡来自像素阵列130的初始光L。在每一第二子像素单 元132g的透光区R1上相重叠的第一光电转换胞142r与第三光电转换胞142b还延伸至第二子像素单元132g的遮光区R2上，以和遮盖第一子像素单元132r的第二光电转换胞142g重叠而共同阻挡来自像素阵列130的初始光L。在每一第三子像素单元132b的透光区R1上相重叠的第一光电转换胞142r与第二光电转换胞142g还延伸至第三子像素单元132b的遮光区R2上，以和遮盖第二子像素单元132g的第三光电转换胞142b重叠而共同阻挡来自像素阵列130的初始光L。换言之，在每一遮光区R2上互相堆叠的部分第一光电转换胞142r、部分第二光电转换胞142g以及部分第三光电转换胞142b可做为遮光层使用，以避免来自每一子像素单元132的初始光L传递至相邻子像素单元132正上方的光电转换胞142，进而降低显示装置100发生显示色彩异常的机率及/或程度。

在本实施例中，第一光电转换胞142r相较于第二光电转换胞142g与第三光电转换胞142b接近像素阵列130，且第一光电转换胞142r的吸收波长大于第二、三光电转换胞142g、142b的吸收波长。换言之，若子像素单元132正上方设置的多个光电转换胞142包括第一光电转换胞142r，则初始光L会先通过吸收波长最长的第一光电转换胞142r。初始光L中波长越长的部分其穿透能力越差，因此若将吸收波长最长的第一光电转换胞142r设置于初始光L传递路径的最前端，则初始光L中穿透能力差的部分可先被吸收运用，而不会被其他吸收波长的光电转换胞142损耗。藉此，光电转换阵列140便能够更有效率地将初始光L转换成电能I，以供显示装置100本身或外部装置使用。

请参照图1及图4，显示装置100可选择性地包括电性连接于光电转换阵列140与像素阵列130之间的储电单元150(示出于图4)。储电单元150储存光电转换阵列140转换出的电能I。在本实施例中，显示装置100可进一步包括电性连接于储电单元150与子像素阵列130之间的驱动单元160。驱动单元160运用电能I驱动子像素单元。换言之，通过特殊设计的光电转换阵列140不但可使显示装置100显示彩色画面，还可将为了实现不同色彩而损耗的部分初始光L转换为电能I储存。在本实施例中，电能I还可选择性地传递至驱动单元160，而使驱动单元160能够运用电能I驱动子像素单元132，进而使显示装置100更为节能省电，即，减少外部电能的需求量。

在本实施例中，显示装置100可选择性地包括绝缘层180。绝缘层180配置于遮盖同一个子像素单元的不同光电转换胞之间。举例而言，遮盖同一第一子像素单元132r的第二、三光电转换胞142g、142b之间设有绝缘层180，遮盖同一第二子像素单元132g的第一、三光电转换胞142r、142b之间设有绝缘层180，而遮盖同一第三子像素单元132b的第一、二光电转换胞142r、142g之间设有绝缘层180。绝缘层180的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。值得一提的是，通过绝缘层180的设置，具有不同吸收波长的光电转换胞(例如：第一、二、三光电转换胞142r、142g、142b)转换出的不同电能I(例如：不同大小的电流)能够分别地传送到电性连接于光电转换胞142与储电单元150之间的电能调整单元170。当不同电能I分别传送时，电能I能够更有效率地被电能调整单元170接收。电能调整单元170接收不同电能I后，能够调整各电能I而更有效率地将电能I储存至储电单元150。

图5为本发明另一实施例的显示装置的剖面示意图。图5的显示装置100A与图1的显示装置100相似，因此相同或相对应元件以相同或相对应的标号表示。显示装置100A与显示装置100的差异主要在于：显示装置100A还包括彩色滤光阵列190。以下主要就此差异做说明，二者相同处请依图5中的标号参照前述说明，在此便不再重述。

请参照图5，显示装置100A包括第一基板110、相对于第一基板110的第二基板120、配置于第一基板110与第二基板120之间的像素阵列130以及配置于像素阵列130与第二基板120之间的光电转换阵列140。像素阵列130包括多个子像素单元132。来自每一子像素单元的初始光L经过光电转换阵列140转换成电能与显示光l。电能被储存而显示光l会穿出第二基板120以显示画面。相邻两个子像素单元132呈现的显示光l具有不同波长。光电转换阵列140包括多个光电转换胞142。每一光电转换胞142的面积遮盖两个相邻的子像素单元132并部分重叠另一个光电转换胞142的面积。遮盖同一个子像素单元132的不同光电转换胞142具有不同的吸收波长。在本实施例中，显示装置100A可选择性地如显示装置100般包括图4的储电单元150、驱动单元160以及电能调整单元170，关于储电单元150、驱动单元160以及电能调整单元170与显示装置100A其他构件之间的关系，请参照前述说明， 在此便不再重述。

显示装置100A与显示装置100不同的是，显示装置100A还包括彩色滤光阵列190。彩色滤光阵列190位于第二基板120与光电转换胞之间。彩色滤光阵列190具有多个第一、二、三滤光图案192r、192g、192b及遮光图案194。第一、二、三滤光图案192r、192g、192b分别对应于第一、二、三子像素单元132r、132g、132b并遮盖透光区R1，而遮光图案194则遮盖遮光区R2。第一滤光图案192r能进一步地滤除未被第二、三光电转换胞142g、142b滤除的部分初始光L，进而使穿出第二基板120的显示光lr具有更窄的频宽，藉以呈现更饱和的色彩。第二滤光图案192g能进一步地滤除未被第一、三光电转换胞142r、142b滤除的部分初始光L，进而使穿出第二基板120的显示光lg具有更窄的频宽，藉以呈现更饱和的色彩。第三滤光图案192b能进一步地滤除未被第一、二光电转换胞142r、142g滤除的部分初始光L，进而使穿出第二基板120的显示光lb具有更窄的频宽，藉以呈现更饱和的色彩。藉此，显示装置100A的色彩饱和度能够进一步地提高。遮光图案194则可阻挡遮光区R2中未被第一、二、三光电转换胞142r、142g、142b吸收的初始光L，进而使显示装置100A具有更高的对比度。

第一、二、三滤光图案192r、192g、192b的颜色可视第一、二、三子像素单元132r、132g、132b所在处所欲显示的颜色而定。在本实施例中，第一、二、三滤光图案192、194、196例如为红色、绿色、蓝色滤光图案，以对应于第一、二、三子像素单元132r、132g、132b所呈现的显示光lr、lg、lb，但本发明不以此为限。

综上所述，本发明实施例的显示装置通过光电转换阵列实现彩色画面的显示。更进一步地说，光电转换阵列的制程成熟而其制程能力要求较现有技术的各色光有机发光单元低，因此光电转换阵列的每一光电转换胞易精准地制作于设定位置，以实现高解析度的设计。

此外，本发明实施例的显示装置通过光电转换阵列还能够将为了实现色彩而吸收损耗的光转换为电能，以供储存与利用。因此，本发明实施例的显示装置可以节省外部能源的需求并同时实现彩色画面的显示。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通 技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。