半导体结构及其制造方法与流程

技术总结
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。这种半导体结构包括一基板、多个叠层、多个存储器层、多个通道层、及多个连接部。叠层设置于基板上。叠层分别包括交替叠层的导电层及绝缘层。存储器层分别设置于叠层的侧壁上。通道层分别设置于存储器层上，通道层分别包括暴露出的一表面。连接部分别将所述通道层各自的表面连接至基板。

技术研发人员：赖二琨;施彦豪
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510216400
技术研发日：2015.04.30
技术公布日：2016.12.07