变频变压器的制作方法

文档序号:12369333阅读:224来源:国知局
变频变压器的制作方法与工艺

本发明涉及输变电技术领域,尤其涉及一种变频变压器。



背景技术:

变频器是把工频电源变换成各种频率的交流电源,以实现电机的变速运行的设备;变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压。将变频器与变压器有效结合即所说的变频变压器,变频变压器作为一种可控的双向输电设备,具有控制简单能够克服所连接电网频率上的限制,通过调节两端系统的相角关系而连续地控制流过潮流的大小和方向,同时,不仅可以用于异步联网,也适用于同步电网的功率传输控制,发展前景广阔,但是变压器主要有两大部分损耗:变压器铁损即空载时铁芯的损耗,与铁芯的重量成正比,变压器铜损即负载时电流通过绕组的铜阻发热能量的损耗,与变压器的负载率有关。



技术实现要素:

本发明所解决的技术问题在于提供一种变频变压器,减少铁损与铜损,达到节能的目的。

本发明所解决的技术问题的技术方案是:一种变频变压器,包括铁芯和导电母线,铁芯外侧设有次级线圈,次级线圈的外侧设有初级线圈,初级线圈和次级线圈连接导电母线,初级线圈包括至少一组初级绕组,次级线圈包括至少一组次级绕组,铁芯包括第一长板和第二长板,第一长板与第二长板之间设有第一侧柱和第二侧柱,第一侧柱与第二侧柱之间设有至少两个中柱,两个中柱上均缠绕有初级线圈和次级线圈,初级线圈的输入端与导电母线之间及次级线圈的输出端与导电母线之间均设有带自控电路的晶闸管。

作为优选的技术方案,第一侧柱、第一长板、第二侧柱和第二长板依次首尾相接形成闭合的铁芯。

作为优选的技术方案,两中柱中及与次级线圈之间均设有隔离层。

采用了上述技术方案,铁芯的两个侧柱以及至少两个中柱提高磁性组件的使用效率,使磁性组件结构体积变小、重量变轻,进而减少绕组的长度,同时可以降低铜损,另外初级绕组所产生的交流式磁通变化量以及漏磁也会变小。

由于闭合的铁芯包括多组绕组,用以提供磁通闭合路径,铁芯中设有非铁磁材料制成的 隔离层,可以明显提高铁芯的线性磁化范围,有效的防止变压器发热,从而提高其频率适应范围及对于零点漂移的适应能力。

附图说明

图1是本发明变频变压器的结构示意图;

图2是图1中一个初级线圈与次级线圈的结构示意图;

图中:1.铁芯,2·初级线圈,21·初级绕组,22·第一长板,23·第一侧柱,3.次级线圈,31·次级绕组,32·第二长板,33·第二侧柱,4·导电母线,5·晶闸管,6·隔离层,7.中柱。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,进一步阐述本发明,应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

如图1、图2共同所示,一种变频变压器,包括铁芯1和导电母线4,铁芯1外侧设有次级线圈3,次级线圈3的外侧设有初级线圈2,初级线圈2和次级线圈3连接导电母线4,初级线圈2包括至少一组初级绕组21,次级线圈3包括至少一组次级绕组31,铁芯1包括第一长板22和第二长板32,第一长板22与第二长板32之间设有第一侧柱23和第二侧柱33,第一侧柱23与第二侧柱33之间设有至少两个中柱7,两个中柱7上均缠绕有初级线圈2和次级线圈3,初级线圈2的输入端与导电母线4之间及次级线圈3的输出端与导电母线4之间均设有带自控电路的晶闸管5,第一侧柱23、第一长板22、第二侧柱33和第二长板32依次首尾相接形成闭合的铁芯1,两中柱7中及与次级线圈3之间均设有隔离层6。

变压器运行时,初级线圈2中的电流频率经过晶闸管5后成倍提高,次级线圈3中感应的高频率电流经晶闸管5后又降低到正常值,输送至电力用户。

由于采用了上述技术方案的一种变频变压器,铁芯1的两个侧柱以及至少两个中柱7提高磁性组件的使用效率,使磁性组件结构体积变小、重量变轻,进而减少绕组的长度,同时可以降低铜损,另外初级绕组所产生的交流式磁通变化量以及漏磁也会变小,闭合的铁芯1包括多组绕组,用以提供磁通闭合路径,铁芯1中设有非铁磁材料制成的隔离层6,可以明显提高铁芯1的线性磁化范围,有效的防止变压器发热,从而提高其频率适应范围及对于零点漂移的适应能力。本发明结构设计合理,减轻了铁芯的重量,降低了铜损,达到了节能目的。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应 该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

—切从本发明的构思出发,不经过创造性劳动所作出的结构变换均落在本发明保护范围之内。

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