1.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底中形成沟槽；
在所述沟槽内形成外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平；
在所述外延层中形成源区；
在所述衬底与所述源区的表面形成金属连接层，以使所述衬底和所述源区通过所述金属连接层导通。
2.根据权利要求1所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，在衬底上刻蚀沟槽包括：
在衬底表层形成掩膜层；
在所述掩膜层表面形成具有图案的光阻；
以所述光阻为掩膜，刻蚀第一预设区域的掩膜层，使所述第一预设区域下方的衬底裸露，保留所述光阻覆盖的第二预设区域的掩膜层；
去除所述光阻；
以所述第二预设区域的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一预设区域下方的衬底，形成所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内形成外延层，包括：
采用外延工艺在所述衬底上和所述沟槽内形成厚外延层，对所述厚外延层进行平坦化以形成所述外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度为6微米至15微米。
5.根据权利要求4所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，所述厚外延层的厚度为10微米至30微米。
6.一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
具有沟槽的衬底；
在所述沟槽内形成的外延层，所述外延层的上表面与所述衬底的上表面齐平；
在所述外延层中形成的源区；
金属连接层，形成在所述衬底与所述源区的表面，所述金属连接层用于导通所述衬底和所述源区。
7.根据权利要求6所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为6微米至15微米。
8.根据权利要求6或7所述的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述金属连接层为金属柱，所述金属柱的底部与所述衬底和所述源区均接触。