1.一种半导体发光元件，包含：
叠层结构，具有反射层，第一电性半导体叠层，位于该反射层上，主动层，位于该第一电性半导体叠层上，以及第二电性半导体叠层，位于该主动层上；以及
第一电极，位于该叠层结构上，
其中该叠层结构还包含氧化层，不露出于该叠层结构的外侧壁。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含基板，承载该半导体叠层，以及多个孔洞，暴露出该基板或该反射层。
3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该氧化层包含多个氧化区，一该氧化区对应围绕一该多个孔洞。
4.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该多个孔洞均匀散布在叠层结构中。
5.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该多个孔洞沿着该第一电极分布。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该反射层包含多个第一折射率层与多个第二折射率层交互堆叠，其中该第一折射率层与该第二折射率层的折射率相异。
7.如权利要求2所述的半导体发光元件，还包含介电层，形成于该多个孔洞的侧壁。
8.如权利要求6所述的半导体发光元件，其中该第一折射率层围绕该氧化层。
9.如权利要求8所述的半导体发光元件，其中部分的该氧化层及部分的该第一折射率层介于两个相邻孔洞之间。
10.如权利要求9所述的半导体发光元件，其中两个相邻的孔洞之间相距一距离，且该第一折射率层的宽度为该距离的20％到80％之间。