采用聚焦离子束的电路跟踪的制作方法

本公开技术涉及一种电路跟踪，尤其涉及一种采用聚焦离子束的电路跟踪。

背景技术：

二十世纪晚期到二十一世纪早期的技术革命注重于企业的智慧。公司，尤其是那些从事高技术，试图确定对手将把什么技术应用于他们的最新产品的公司。为此，集成电路，特别是高价值，切削刃的微芯片，不断被进行反向工程，分析解剖，以确定它们的内部结构和互连是怎样的。

目前，集成电路的解剖和分析涉及到一个艰苦的费力的过程。多层芯片的每一层都是仔细暴露，然后创建成像。产生马赛克图像并且，然后费力地追溯该痕迹，确定哪些特征与组件是互连的。可以想象，只是为了确保感兴趣的特征被覆盖，这种资源密集的过程导致错误的特征和可能不感兴趣的区域被成像分析。

此背景信息是用来揭示能被可能相关的申请人所接受的信息。没有必须准备的或应该被解释的对任何先前的信息构成现有技术的承认。

技术实现要素：

以下呈现了一简化的总的发明概念的概要，此处被描述以提供该发明的一些方面的一个基础性理解。此概述不是该发明的一个广泛的概述。无意限制发明的关键或决定性的元素或描述该发明的范围，除此之外，以下描述和权利要求是对其明确或隐晦的描述。

对电路跟踪系统和克服现有技术的一些缺陷，或者至少提供一个另外的有用的选择的方法的需求是存在的。此公开的一些方面提供了该系统和方法的例子。

系统、方法和设备存在进一步或选择性的需求，举个例子，可以减少跟踪集成电路上的电路和电子线路的互连所需要的精力。

根据一些方面来看，本发明提供用于通过采用聚焦离子束成像技术跟踪在集成电路上的电子线路的方法和系统。在这一方面，在集成电路上的第一组件或节点被联接到在同一集成电路上的第二组件或节点。然后，一个外部偏压被施加到所述第一组件或节点。一聚焦离子束被施加到所述集成电路，并且使用一个电子探测器采集图像。在集成电路上的联接到第二组件的特征或组件将会在结果图像上产生高对比度。该方法可以使用在迭代过程中，该迭代 过程用以识别在集成电路上的哪个组件与哪个特征相联接。该方法还包括施加一个偏压给一个节点或组件，并且随后使用聚焦离子束成像技术(通过一电子探测器)以获得该集成电路的图案。连接到该被施加了偏压的节点或组件的其他组件或节点会在结果图像上呈现高对比度。

根据一个例示性实施例，一种用于集成电路上的成像电路的方法，该方法包括：

将所述集成电路的第一零件联接到所述集成电路的第二零件；

施加一个偏压到所述第一零件；

使所述集成电路暴露于一聚焦离子束下；以及

使用电子探测器采集集成电路的图像；

其特征在于，所述第一零件和所述第二零件不是通过所述集成电路联接的；以及

其中，采集到的所述图像具有至少一部分相对于所述图像中的其余部分呈现高对比度，所述至少一部分是所述集成电路的一部分，该部分是联接到所述集成电路的所述第二零件。

根据另一个例示性实施例，一种用于跟踪在一集成电路中的相互连接的方法，该方法包括：

移除所述集成电路的层以暴露所述集成电路的部件；

将所述集成电路的第一节点连接到所述集成电路的第二节点；

施加一个外部偏压到所述第一节点；

使用聚焦离子束和电子探测器捕获所述集成电路的至少一部分的图像；

确定在所述图像中哪些集成电路的组件被标注为高对

其中，在所述联接之前，所述第一节点和第二节点不通过所述集成电路彼此连接。

根据另一个例示性实施例，一种用于集成电路上的成像电路的方法，该方法包括：

施加一外部偏压在所述集成电路的第一部分；

将所述集成电路暴露于一聚焦离子束下；

采集所述集成电路的图像；

其中，采集到的所述图像，显示了所述集成电路的第二部分，该第二部分相对于图像中的其余部分呈现高对比度，所述第一部分和第二部分通过在集成电路中的一个共同的路径互相连接。

根据另一个例示性实施例，一用于识别与集成电路上的可切换电源接口有关联的功能性元件部分的方法，其特征在于，该可切换电源接口包括一于其间带有一控制开关的源极和漏极，在集成电路运行的过程中，所述控制开关因为一控制信号而可控，该方法包括：通过沉 积的导电材料连接源极和漏极；通过源极和漏极的其中一个极，将一个外部偏置电压施加于该可切换电源接口的电源输入；将集成电路暴露于一聚焦离子束；以及，在暴露的过程中收集集成电路的图像，以确定与可切换电源接口进行有效连接的高对比度指示功能元件部分的区域。

根据另一个例示性实施例，一方法中提供了一用于清晰地识别集成电路上的电源功能模块的方法，每一个功能模块通过位于集成电路上的可切换电源接口的相对的电源接口来供电，该方法包括：将一个外部偏置电压施加于可切换电源接口；使用聚焦离子束的集成电路成像；识别具有将高对比度显示为相对电源接口界面的成像部件；导电性地关闭所选择的识别出的成像部件；e.使用所述聚焦离子束的集成电路成像；以及，当通过所述的所选对应电源接口之一有效供电时，将高对比度的区域识别为典型的给定的单独供电功能模块之一。

根据另一个例示性实施例，一方法中提供了一用于识别集成电路上的单独供电功能模块的方法，每一个功能模块通过位于集成电路上的可切换电源接口的相对的电源接口来供电，该方法包括：识别对应的电源接口；导电性地关闭所选择的相对应的电源接口的其中之一；将一个外部偏置电压施加于可切换电源接口；使用聚焦离子束成像集成电路；以及，当通过所述的所选对应的电源接口之一受到有效供电时，将高对比度的区域识别为给定的单独供电功能模块之一。

根据另一个例示性实施例，一方法提供了一用于识别集成电路上的可切换电源接口的方法，其中可切换电源接口包括一个之间带有控制开关的源极和漏极，在集成电路运行的过程中，该控制开关因为控制信号而可控，该方法包括：施加一外部偏压于集成电路上的电源输入；当被暴露于离子束时，收集集成电路的图像；以及，识别用于显示与所述电源输入有传导性连接的高对比度区域的末端，所述末端识别带有源极与漏极的可切换电源接口。

根据另一个例示性实施例，一用于识别集成电路上的单独供电功能模块的设备，每一个功能模块通过位于集成电路上的可切换电源接口的相对的电源接口来供电，该设备包括：一用于引导基板上的离子束的聚焦离子束发射器；一用于在暴露于离子束时，测量基板上多个位置的每一个位置的从基板发射的二次电子相对强度的二次电子探测器，每个用于生成成像数据的所述测量得的强度表明处于每个所述相对位置的特征。以及，一用于连接外部电压偏置于与所述可切换电源接口传导性关联的集成电路的一部分的偏置执行器；其中在短路所述可切换电源接口之前和之后所采的相应的所述集成电路的图像的高对比度的区域的差异表明了一在所述集成电路上的一单独供电功能模块。其他方面、特征和/或特色在读过以下特定的非限制性实施例的描述后，会变得更加清楚，是以仅与附图相关的例子的形式给出的。

附图说明

本公开技术的多个实施例将仅以例子带附图的方式被提供，其中：

根据一个实施例，图1和图2示意说明聚焦离子束(FIB)技术；

根据一个实施例，图3是来自FIB的图像，说明高对比度的IC特征；

根据一个实施例，图3A是来自FIB的图像，示出了在IC上的两个特征之间的连接；

根据一个实施例，图4是利用FIB的高对比度特征的图像；

根据一个实施例，图5是图4中的具有介质片沉积的特征图像；

根据一个实施例，图6是图4中的具有被短路的已知特征的和被短路未知特征的节点的特征的图像；

根据一个实施例，图7是图6的集成电路的图像，显示了由于偏压被施加到已知特征，高对比度的IC的不同零件；

根据一个实施例，图8是根据本发明的一个方面的步骤的流程示意图。

图9A是一个没有应用外部偏置的多核处理器的代表图；

根据一个实施例，图9B是图9A的多核处理器有应用外部偏置的代表性图表；

根据一个实施例，图9C是图9A的多核处理器有应用外部偏置和一导电材料沉积的指示器，在第一电源开关晶体管上中，的代表性图表。

根据一个实施例，图9D是图9A的有应用外部偏置和一处理器核心的多核心处理器的代表性图表，其中该处理器核心与显示出相对于其他处理器核心高对比度的短路的第一电源开关晶体管相关联。

具体实施方式

根据不同的实施例，其中所描述的系统和方法提供了采用聚焦离子束的电路跟踪方法和系统的不同的例子。

聚焦离子束(FIB)系统完善地建立在半导体行业中，并在很多不同的应用中有不同的用途。在FIB系统中，产生聚焦光束并且该聚焦钴胺素加速到下一列。随后通过施加穿过系统线圈(和静电透镜)的电磁能操纵该光束，由此产生的光束在真空室中出现并且穿透样品/目标。对FIB来说，该束由离子作为离子束组成,有着比电子束更高的动能。通过用高电源击打一个样本，材料可以被移除或消除。通过添加背景气体和通过低能量撞击样品，新的材料可以沉积。可以通过操纵光束和添加气体，一个材料可以一个精确和可控制的方式去除和沉积。标准气体可包括二氟化氙，四甲基环四硅氧烷(TMCTS)，铂，钨，和其他公知的气体。

在离子光束穿透样品后，离子，原子和电子被发射(主要是“二次电子”)。这些电子可以用来创建一个图像——该图像可以通过使用一个电子探测器获取并且同步该采集的信号与该离子光束扫描。取决于样品的材料和其他因素，可能更多或更少的电子被发射。因此，该图像可以被用来识别具有不同的特征的样本的区域。举例来说，金属电路会发出不同数量的电子，相比电介领域，并且这使得金属电路呈现不同的图像。

参考图1，一个示意图说明聚焦离子束技术的说明。在图1中可以看到，聚焦离子束(来自于镓离子源)被施加到样本。离子束式的样品发射出电子。这些电子通过二次电子探测器检测。可以从发射的电子构件出样本的图像。可以如图1所示，通过将样本的一个特征接地并传输阳性颗粒，就可以得到用于接地的特征的明亮的图像。这是由于二次电子探测器接收到一个比未接地的特征更高的电子浓度。

当离子束随着嵌入式掺杂材料穿透半导体的一区域时，一个众所周知的现象发生。N掺杂硅与P掺杂硅被离子束击中时，它们的行为表现不同，该结果图像显示出材料间对比的差异。除了半导体的材料在不同程度上也显示这种行为表现，称为电压对比。

通过解释，提供了图2。在这幅图中，一集成电路(IC)上的两个特征是由一个电路连接的。当聚焦离子束被施加到特征上时，集成电路上接地的特征产生一个更明亮的图像。再次，这是由于二次电子探测器接收到的来自接地特征的电子的浓度比未接地特征的电子浓度高。

通过图2的解释可以延伸概念，一聚焦离子束可以用来穿透样品，该样品具有混合电介质材料和金属互连(例如，延时的IC芯片)。通过制造到电路的特定区域的外部连接，和施加一个偏压到这些区域，当这些区域被离子束撞击是所产生的电力的数量会产生很大变化。使用这种技术，在绘制二次电子产量图时，在结果图像中的集成电路的特定区域相比于其他区域，可以表现出更高的亮度(即，更高的对比度)。如图3所示的例子，一个集成电路特征/组件被偏压并且FIB已被施加。可以看出，已经施加了偏压的特征相比于IC上的其他特征具有高对比度。

该高亮度(或高对比度)的区域可以用正常的电路编辑FIB操作延伸。通过沉积介电材料，铣削接入孔和沉积金属互连，该偏压区域可以与IC上的一个新的领域或一个新的组件或节点连接。当通过聚焦离子束撞击时，在源自二次电子探测器的输出的结果图像中的任何连接到该偏压的区域，组件或节点都将同样出现高对比度。这可用于确定IC上的哪些特征，节点，或者组件与哪些区域，特征，节点或组件连接。

参照图3A-6，说明了在IC中的已知特征和未知的区域或特征之间的连接的步骤。在一个示意图中，图3A显示了IC上的20个短路的特征的所期望的结果。可以看出，一个已知的特征 (具有高对比度的缓冲特征)是与相邻的特征短路，该相邻的特征也是一个缓冲。在突出显示的缓冲组件和其相邻的缓冲之间的黄色块代表将这些缓冲与另一个连接的一个短路，如图3A所示。

在图4中，已知特征(一缓冲)是偏压的并且从该图像得到的FIB显示了相对于IC上的其他特征的具有高对比度。在图5中，一电介质片沉积在已知特征和已知特征的节点上并且暴露一个未知特征(即不带偏压的特征)。在图6中，已知特征的和未知特征的节点通过沉积在两个节点之间的导电材料而短路。一旦短路，两个节点因此相连并且在短路的节点上施加偏压具有在任何节点，特征或组件上施加偏压的效果，该任何节点，特征或组件与一个位置特征相连。当聚焦离子束因此与偏压同时施加在IC上时，相比于IC上的无偏压的零件或区域，这些连接到未知的特征的节点，特征，或组件也将出现在高(或更高的)对比度。

参照图7，在图像的中下部分描述了该短路区域(即，偏压被施加的区域)。与IC中其余部分相比，该与未知特征相连的IC的特征呈现高对比度。如在图7中可以看到，这些特征包括对电源开关的输入和对下一个缓冲区的输出。

应当指出，在图3A-7给出的例子不应被视为对本公开技术的限制。任何特征，节点，或在集成电路上的组件或芯片可以作为第一或初始组件或节点。这第一组件可被短路或连接在一个第二组件，这是通过以任何适当的方式优先于施加偏压和聚焦离子束到集成电路实现的。而给出的例子中，也可以使用FIB沉积和去除绝缘层以及金属互连，也可以使用其他的技术。而该实例使用的聚焦离子束来源于镓离子源，其他离子源，如单质金，铱，氙，氖，以及任何其他适当的离子源都可以使用。

也应该注意到，为了最好的结果，该第一和第二节点或组件经由集成电路被连接到彼此，这最好优先于不彼此连接到另一个用于偏压和成像的目的的节点或组件。

在一个实施例中，当前公开技术的一个方面，集成电路芯片或模具首先必须被准备，使用标准称为背侧样品制备方法。这包括安装模具到面向下的绝缘载体，然后除去模体硅，其使用湿式或干式蚀刻直到栅级组件被暴露。模具可以被进一步处理，从后面使用标准的技术来揭示感兴趣的具体层。一个方法是暴露金属1级。一旦感兴趣的级或组件已暴露，一信号路径从外部源扩展到感兴趣的节点，组件或特征，这通常使用外部电源。偏置电压被用于信号节点或设备，典型的是使用外部电源供电。

施加偏压后，然后将样品放置在一个聚焦离子束室。然后对该室用真空泵抽，该样品暴露于FIB光束。通过改变光束的情况，成像探测器的条件，和外部偏压，可以通过具有相非常高的对比度显示该信号节点，这个高对比度是相比于二次电子(SE)的成像探测器电路的其 余部分而言的。感兴趣的节点或特征可呈现被照亮，而电路的其余部分是暗的。

一旦关注的特征已经被偏压并呈现高对比度，该高对比度的区域可以延伸。使用聚焦离子束技术的能力，以精确地沉积绝缘材料和导电材料，该信号路径扩展到在一个特征或电路的新的部分。在一个单独晶体管的情况下，该原始偏压信号可以被施加到一个晶体管的节点(例如，栅极，源级，或漏极接触)，使用聚焦离子束沉积技术，该偏压信号可以扩展到另一个晶体管的节点(例如，栅极，源极或漏极接触)。一旦该偏压信号扩展到了新的特征，其他任何节点连接到该节点，将出现在明亮的SE图像中。

应该指出的是，在信号路径可以通过许多金属层(超过10个现代IC)无形延伸时，任意地方是连接到另一个金属1区的，将在SE图像是立即可见的。

一旦新连接的节点被发现，该过程可以被重复，并且下一个节点可以被照亮。通过继续穿过电路并且形成这些连接，该电路可以随后穿过IC芯片。可以想象，对于涉及多个晶体管的电路，这个过程只涉及到导体的沉积，以短源接触到漏极接触，以及偏压的应用以施加该聚焦离子束到样品。

应当指出的是，本公开技术的一个方面可以简单地施加外部偏压到一组件或节点，优先于施加聚焦离子束到集成电路。施加聚焦离子束后，图像是使用电子探测器拍摄的。在集成电路上的特征或组件被连接到被施加偏压的特征或组件，这将显示在高对比度的结果图像上。该方法可用于识别通过集成电路上的一个共同路径的节点或组件。

概述的技术可用于栅级电路，接触级电路，或任何所需的金属层(如金属1)。

应当指出的是，使用上述过程所获得的图像可以进一步加工以获得进一步图像的信息。例如图像增强技术可应用于图像的数字版本，该图像来自于上述过程，以进一步解释组件，节点和集成电路上的特征。

我们还应该注意到，在多次迭代的过程中所捕获的图像，可用于确定哪些特征已成为一个偏压相关部分或集成电路部分。例如，对迭代A的图像(优先于施加一偏压到IC的短路部分)相比用迭代A+1的图像(后于对该偏压的应用)，以看到哪个IC的部分已经被突出显示。图像减少，图像处理以及图像叠加技术可用于自动化该过程，通过突出或高对比度的图像的部分确定。

对于聚焦离子束的条件和环境的各种参数，可以被调整和/或设置为最佳的结果图像质量。这些参数包括电压，电流，停留的时间，以及其他参数等。对于那些精通聚焦离子束技术的人而言，这些参数及其影响和设置是众所周知的。对电子探测器的参数可调整以获得合适的图像质量包括亮度，对比度和线平均度。

偏压施加到感兴趣的特征的范围为+24V到-24V。该偏压可能取决于聚焦离子束条件以及IC被成像的特征。例如该IC的特性可以包括图形密度，导线宽度/阻值，介质质量和导体质量。优选的，偏压电流将被限制以防止导体之间的电弧。因此该偏压最好在微安范围内。

本发明的一个方面可以视为一个过程通过流程图8详细描述。该过程起始于步骤10，制备IC。如上所述，这一步可能涉及暴露在IC上的组件到栅级。步骤20是连接一个特征或节点到另一个特征或节点。这可以使用包括FIB介电沉积物。一旦已知的特征已被连接到一个未知的特征(即，特征的互连关系不明)，然后一个偏压可以施加到连接特征(步骤30)。聚焦离子束现在可以被应用于IC(步骤40)。电子探测器然后可以被用于生成IC的图像(步骤50)。IC特征连接到将产生高对比度图像的偏压节点或特征。

对现公开技术理解的人可以想像到的替代结构和上述所有这些实施例或变化都属于本发明的去权利要求的保护范围。

在另一个实施例中，有一用于在晶粒级别的集成电路上分析配电的方法和系统，且相关联的部件的配电与子部件连接于其中。这些方面可能包括与集成电路上的功能模块和/或元件部分相关联的电源开关的仿真，然后使用以上描述的电路追踪技术以追踪功能模块(或元件部分)，其中该模块由此电源开关激活，并决定它的位置。在这些方面，可能提供了一连接于至少一个电源输入接口和/或电源信号接口(比如引线、引脚、垫片)的外部偏置电压，在封装上，或者使用FIB扫描和成像的集成电路上的集成电路凸块来识别在集成电路上的电源信号传播。电源开关被识别后，它们的开关功能可以通过短路所述开关的源极和漏极来模拟，举例来说，其可能是电源开关晶体管(PST)。

在现代集成电路中，电源效率和集成电路的功耗管理，以及其上的特定元件，是最受关注的，特别是当集成电路在移动应用中起作用时，通常是在更小型的设备中；当没有现有的其布局或者结构的知识的状态下(比如，当进行逆向工程时)，分析这些设备时，优选的是能够确定与所给电源开关晶体管有关联的功能元件部分来更好地理解重要功能。由于已知的会影响集成电路上晶体管的泄露现象，尽管其自身可能甚至是无效的，仍然有由这个不导通的晶体管(或者其他元件部分)因无源泄露影响产生的电流的材料消耗。为了取得“小的”(“smart”)或者可编程的功耗，集成电路上的特定方面或者子部件的功率可能对多功能集成电路模块单独控制；在一些情况中，功能模块完全不连接于PST，无论何时功能模块都处于闲置模式。当这些功能模块需要打开或者关闭，内部的或者外部的电源控制电路在控制PST。

在典型的方面，一个或者多个电源输入接口，包括单一或者成组的引线、垫片或者凸物，被识别于集成电路封装或者晶粒级别上(比如金属1)。此类识别可能被使用者或者由被专业 软件自动识别功能预先提供，该软件适用于对比表面或者其他基板几何形状与预先决定的几何形状或者显示接口存在的特征。在一些方面，识别的前面为一散状材料的以逐层方式的迭代去除，其中每一层的特征被分析，在某种程度上是为了与相同或临近层的连接；在一些情况下，该分析没有被进行，可能是因为尺寸、复杂性或特征密度会使该分析变得困难或者无法实行。在某些方面，上述的一个用来识别所连接电路的以FIB为基础的分析被用来识别给定集成电路的所关注的区域。

识别电源接口特征(也就是电源组)以后，第一电源组在执行一个集成电路晶粒上的FIB扫描时就被暴露给一个外部偏压，该芯片上的块状硅被移除且晶体管层被暴露。使用FIB电压衬度像(PVC)现象保证了图像的采集，其中一些被传导性地联接在外部偏压的应用上的区域显示于相对于其他区域高对比度的区域。研究高对比度区域，可以识别电源在任何给定的功能模块中是否被直接连接在晶体管上，或者电源是否通过一个或多个PST被连接，其被用来切换至可应用功能模块的电力传输的开或关。PST可能跟与晶体管有关联的给定电路末端有关联；在许多情况下，一在此末端的给定的晶体管与其他功能晶体管比较是相对大的，因为它们必须足够大以处理对多个其他晶体管或功能性元件部分的电力传输。同样的，一旦PST已经被FIB扫描和成像的方式识别，此末端晶体管一般如PST是容易可识别的。因此，可以被打开或关断的功能模块，以及它们与特定PST的分别的关联可以被识别。

PST被识别后，PST功能的模拟可以被执行。使用FIB电路修正能力，导电材料的沉积被执行，在一些方面，以连接或短路一个或多个被识别的PST的源极和漏极节点。因而，给定PST的运行可以被模拟，因为PST可能被一个控制信号打开或关闭，因此导致为PST功率从功率控制电路模块被接收。然后，使用FIB扫描功率信号传播会被高对比度信号识别，该信号会继续被FIB短路，PST去往一个或更多功能模块。使用上述FIB扫描和成像技术时。每个IC功能模块会依据他们的功率供应被研究，然后多重IC的模块和多电源点之间的联系也会被识别。

当一个或多个PST被识别，被连接于PST的一个门极节点的控制信号可以被返回追踪，使用的是一聚焦离子束连同一个用以产生基板图像的二次电子探测器，PST就位于基板上。PST控制信号会被返回追踪至功率控制电路模块。

在例示性方面，处理一些多核心处理器的核心可以由一个可切换电源接口独立打开或关闭，例如一个PST。每个核心也可能直接或间接与各种其他集成电路中的部件相关联。决定哪个核心(或者其他元件部分或者功能模块)为了给定的不同功能和工作负载而被打开，还有那些部件和部件类型可能被打开于不同时期或运行条件，也是有效的。这种情况可能是当有少量或者没有处理器或其他集成电路内部件的预先存在知识。这些情况可能存在，举个例 子，评估时，对比或者标记集成电路(或其他设备)；当传导关于第三方设备的市场或技术情报时；或在研究对第三方知识产权的侵权时。此处公开的方法被用于与逆向工程联合。

在另一方面，公开了一种在集成电路(或其他电路基础的基板，例如印制电路板)中识别被设置于用作提供电源给其他元件部分的开关的元件部分的方法。作为正文前图文，在该集成电流或其他基底上，外部偏压被应用于功率输入，是为了识别单个或多个末端，包括任何所连接电路的部件，当被次级粒子检测器成像时，其会显示高对比度，当IC(或其他基底)曝光于粒子束期间。这些位于该电路末端的部件，优选的，当这些元件是晶体管，且甚至更优选的，当这些晶体管比周围能够传输比周围晶体管相对更大量的功率的晶体管相对更大时，这些元器件会典型地成为可切换电源接口。在许多情况下，这些可切换电源接口会是一电源开关晶体管(PST)。在正常的运行中，PST可以被选择性地控制来传输功率，或者不传输功率，给连接于其上的功能模块。通过关闭向晶体管或者其他部件的电力传输，在被连接的功能模块中，通过泄露产生的功率流失可以避免。因为决定了哪个功能模块与给定PST相关联，如果可能的话，通过追踪所有集成电路中的电路以及逆向作业，通过高分辨率编辑图像，立即被公开的主题提供了一识别该PST，以及与其相关联的功能模块，位置的方法。举个例子，在某些方面提供了识别集成电路上可切换电源接口的方法。所述方法，其中所述可切换电源接口包括一个之间带控制开关的源极和漏极，所述控制开关在集成电路运作期间由一个控制信号控制，包括以下部分：施加一外部偏压于一集成电路上的电源输入；当被暴露于离子束时，收集所述集成电路的图像；以及，识别用于显示与该电源输入有传导性连接的高对比度区域的末端，该末端包括一个带有源极与漏极的电器元件。

在某些方面，一旦一个可切换电源接口被识别了，该可切换电源接口内开关机构可能被连接(换句话说，被短接)以固定有关闭功能的开关，因此在IC运作期间调至关闭状态时，模拟可切换电源接口的状态。通过对比在此连接之前或之后的集成电路(或其他包含导电元件，例如电路板，的基板)的图像，被由可切换电源接口打开或供电的功能性元件部分可以被识别。该技术领域的技术人员所知的可切换电源接口中许多连接(或短路)开关的方式可能被使用，包括但不限于导电材料的手工应用、使用平板印刷术或者由相同或不同的通过沉积聚焦离子束的沉积。在可切换电源接口是一个PST的情况中，PST可以通过应用与PST源极和漏极有联系的导电材料被短路。举个例子，所提供的方法进一步包括收集额外或者集成电路的第二图像的步骤，其在连接步骤之后，并对比前后图像。单独显示在第二图像中的高对比度区域会在带有该可切换电源接口的有效连接中显示功能性元件部分。

在另一个方面，提供了针对识别与可切换电源接口有关联的功能性模块的方法。这些方 法可能包括，但不限制于可切换电源接口被提前识别的例子。同样的，与给定可切换电源接口有关联的功能性元件部分可以决定于，第一，连接或者短接，然后是通过暴露集成电路(或其他基板)于离子束和采集图像信息(也就是由第二例子探测器检测的第二电子或者其他粒子的强度)，然后是通过识别任何与可切换电源接口有关联的高对比度区域。举个例子，提供了用于识别与集成电路上的可切换电源接口有关联的功能性元件部分的一方法，其中所述可切换电源接口包括之间带控制开关的源极和漏极，在集成电路运作期间由一个控制信号控制的所述控制开关，该方法包括与所沉积的导电材料、源极和漏极相连接的，通过所述源极和漏极应用外部偏压于所述可切换电源接口的电源输入，将所述击沉的电路暴露于一聚焦离子束，并在暴露以确定与所述可切换电源接口有关联的显示功能性元件部分高对比度地区的期间采集所述集成电路的图像。

在另一方面，上述的方法，适用于在可切换电源接口已被提前识别时，可能在短路可切换电源接口的源极和漏极之前第一图像被采用作为对比目的之后被实行。这个第一图像，当被对比于最终图像时，会提供一个用作识别有可切换电源接口提供电源的功能模块的基础，因此，关闭位置中在被短路之前，所联系的功能性元件部分不会被显示在高对比度下。

参照图9A至9D，显示了一晶粒为一多核处理器900。在这例示性方面，多核处理器包括四个核910A、910B、910C和910D。在图9A中，没有外部偏压被应用于外部电源引脚920以及，同样的，没有末端部件是可见的。在图9B中，显示了同样的晶粒900，除了一外部偏置电压已被应用于外部电源引脚920.在此状态中，电源开关晶体管930A、930B、930C和930D的突起在相关图像中是可见的。电源开关晶体管930A、930B、930C和930D对于外部电源引脚是平行形态。图9C中显示了同样的晶粒900，有外部偏置电压通过外部电源引脚920被应用。在这个图9C中，导电材料的沉积已经被用来连接，或者短接，电源开关晶体管930D的源极和漏极之一，正如沉积指示器940显示的那样；在此情况下，聚焦离子束被用来沉积此导电材料。晶粒900的成果图像，正如图9D显示，一旦电源开关晶体管930D被模拟如同其处于开关关闭的正常运作，与其有关联的特定核心910C在成果图像中被识别为带有相对其他区域(和/或先验图像的相同区域)有高对比度功能模块通过图9A到图9D的例子解释的方法可以被反复地为每个给定IC(或其他有导电特性的基底，例如印制电路板)上的被识别的电源开关晶体管重复，以识别所有与任何或者所有电源开关晶体管有关联的功能元件。同样的，举个例子，分析所关注的单一功能模块同时不用分析集成电路内的所有电路来获得对于其的连接成为了可能：于此公开的方法提供了一个有意义的捷径给确定任何给定电源开关晶体管与功能性元件部分关联，反之亦然。

在实施例中，提供了用于识别一个或多个与可切换电源接口有关联的功能性模块的设备，特别是这些被相对电源开关晶体管独立提供功率的功能性模块。该设备包括一用于在极度受控的方式下向一个基板发射聚焦离子束的聚焦离子束设备。二次电子或其他粒子的发射，正如其他粒子，可以被二次例子探测器检测到。该检测的强度说明了从给定位置发射的第二粒子的量，其中外部偏置电压的应用会显著地提高该与基板上的其他特征相关的强度。同样的，该区域会被显示为相对于特征的高对比度的区域，通过一个电路或者其他导电材料，该特征与外部偏置电压无导电性联系。该设备可能包含一个电压器，例如导线或其他导体，来应用外部偏置电压于一部分基板(例如针脚、垫片或者集成电路上的凸块)。最后，该设备可能进一步包括一个用于在可控方式下沉积导电材料的沉积工具，包括通过聚焦离子束的使用。

尽管现在公开的技术描述了各种例示性实施例，该公开技术并没有被限制。相反，该公开技术有意涉及了各种修订和等同条款，应被包含在该公开技术的普遍保护范围之内。