技术总结
本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括：元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成集电区；在漂移区内形成第一载流子低寿命区及第二载流子低寿命区；第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区均位于漂移区与终端区相对的区域；第一载流子低寿命区与主结底部之间的距离小于第一阈值；第二载流子低寿命区与集电区上表面之间的距离小于第二阈值；第一载流子低寿命区位于第二载流子低寿命区的上方。本发明可以同时降低正向导通与反向导通时的主结电流密度，避免主结雪崩击穿。
技术研发人员：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽
受保护的技术使用者：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
文档号码：201510550929
技术研发日：2015.08.31
技术公布日：2017.03.08