技术总结
本发明公开了一种制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，包括以下步骤：将衬底依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、并用重镉酸钾浸泡，再用去离子水超声清洗，并吹干备用；将清洗好的衬底放入磁控溅射系统沉积1μm的多层钼背电极；以Cu‑Sn合金靶和ZnS靶共溅射，预置层厚度设计为600～800nm，原子比例设计为：Cu/Zn+Sn＝0.58；Zn/Sn＝1.47；将制备好的预制层在氮气低温热处理，随后在高温硫化处理，自然冷却后得到铜锌锡硫薄膜吸收层。相比于传统的多靶分步溅射优点在于：只需Cu‑Sn合金靶和ZnS靶一步共溅射制备预置层，后将预置层硫化得到铜锌锡硫薄膜吸收层。
技术研发人员：王书荣;李志山;蒋志;杨敏;刘涛;郝瑞亭
受保护的技术使用者：云南师范大学
技术研发日：2015.09.21
技术公布日：2019.07.05