技术总结
本发明提供一种半导体器件结构。半导体器件结构包括：衬底，具有第一源极区和第一漏极区。半导体器件结构包括：位于衬底上方的第一栅极，并且第一栅极介于第一源极区与第一漏极区之间。半导体器件结构包括：第一接触结构，位于第一源极区上方。第一接触结构电连接至第一源极区。半导体器件结构包括：位于第一漏极区上方的第二接触结构。第二接触结构电连接至第一漏极区。半导体器件结构包括将第一栅极电连接至第一接触结构和第二接触结构的导电层。本发明还提供了一种半导体器件结构的形成方法。
技术研发人员：李明昌;张嘉德;孙仲村;
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司;
文档号码：201510666496
技术研发日：2015.10.15
技术公布日：2016.07.06