本发明涉及离子注入机高压区域的高压监测报警,涉及离子注入机,属于半导体装备制造领域。
背景技术:
离子注入机是半导体器件制造中常用的掺杂设备,该设备通过高压提供给掺杂离子动能,从而使掺杂离子进入硅片,完成注入工艺。离子注入机工艺注入过程中,不同工艺往往对应不同的离子能量,而不同的离子能量又直接取决于离子起终止电压。并且不同注入能量下,会在束流路径上不同区域加不同电压用来聚合或发散束流,用来保证束流品质。这些加到离子注入机不同区域的电压往往为高压,且由于注入机设备结构复杂,大多数区域直接裸露在可接触位置,危急操作人员安全。
本发明提供了一种非接触高压监测报警的方法,该方法实现方便,集成度高,且实时持续监测,实践表明该电路对高压监测报警效果良好。
技术实现要素:
本发明涉及一种非接触高压监测报警的方法。该发明应用于离子注入机,该方法适用于离子注入机工作或维护过程中对高压区域的高压监测报警,避免设备卸电装置故障或人为因素导致高压致伤事故。
本发明通过以下技术方案实现:
一种非接触高压监测报警的方法,如图1所示,它包括测试探头(1)、信号调理电路(2)、发光报警电路(3)、蜂鸣报警电路(4)、门连锁控制电路(5)、 电源转换电路(6)。各功能单元的作用如下:
测试探头:将离子注入机高压区域的强电场转换为一定幅度的小信号;
信号调理电路:将测试探头所得小信号放大并进行调整判断;
发光报警电路:完成声光报警功能;
门联锁控制电路:通过判断离子注入机防护门开关状态,控制蜂鸣报警电路是否起作用。若注入机防护门打开状态,启动蜂鸣报警电路,若注入机防护门关闭状态,则关闭蜂鸣报警电路;
电源转换电路:为其他各电路模块供电。
本发明具有如下显著优点:
1、监测高压方式为非接触方式,监测过程中不会对注入机高压区域产生任何影响。
2、报警为分级报警,根据离子注入机防护门的开关状态,采用不同的报警级别。
3、该方法全部由硬件电路完成,能够进行实时监测,并且结构简单、安全可靠。
附图说明
图1是非接触高压监测报警的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的介绍,但不作为本发明的限定。
如图1所以,测试探头(1)以非接触方式放置在所需高压监测的区域附 近,测试探头(1)将高压区域的强电场转换为一定幅度的小信号,将此小信号送入信号调理电路(2)进行调整和判断,通过信号调理电路(2),判断监测区域有无高压启动发光报警电路(3),同时根据门联锁控制电路(5)的信号进行分级报警,若注入机防护门打开状态,启动蜂鸣报警电路(4),若注入机防护门关闭状态,则关闭蜂鸣报警电路(4)。其中的电源转换电路(6),能够将外界电压转化为各电路工作电压。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。