一种高亮度落bin率集中的LED灯的生产工艺的制作方法

本发明涉及一种LED灯的生产工艺，尤其涉及一种高亮度落bin率集中的LED灯的生产工艺，属于半导体照明装置制作工艺。

背景技术：

LED 是英文 light emitting diode的缩写，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED灯以质优、耐用、节能为主要特点，1998年发白光的LED开发成功，这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成，GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce³⁺的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。这种通过蓝光LED得到白光的方法，构造简单、成本低廉、技术成熟度高，因此运用最多。

目前，荧光粉的配方中很多采用SN200作为抗沉淀剂，SN200颗粒均匀，粒径为5-30nm，有一定的防沉淀效果，但是容易结块，特别是在硅胶中不易搅拌，成品落bin率不集中。

技术实现要素：

本发明的目的在于为克服上述缺点，提供了一种高亮度落bin率集中的LED灯的生产工艺。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案实现：

一种高亮度落bin率集中的LED灯的生产工艺，包括固晶、焊线、点粉、烘烤、盖透片、压边、注胶、烘烤、分光、包装和入库步骤，其特征在于：在荧光粉中加入SL2000抗沉淀剂，所述荧光粉的配方配比为：1510A：1510B：Y42W：LCS-05：AOP：SL2000=1.4:1.4:0.19:0.01:0.015:0.002

所述的SL2000抗沉淀粉的粒径为1～2nm。

本发明的有益效果：在荧光分中加入抗沉淀剂SL2000产生交联结构和增稠、触变效果，能够有效的防止荧光粉的沉淀，使得荧光粉在硅胶或树脂中分散均匀，防止结块，生产出的材料落bin率集中，颜色居中好，成品光色效果好、亮度高。

附图说明

图1为加入SN200抗沉淀剂的材料的打靶图。

图2为加入SL2000抗沉淀剂的材料的打靶图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合具体实施例对本发明做详细说明。

实施例1

1）固晶：将LED芯片固定在灯杯内相应的位置，所用原材料如下表1。

表1 所用材料及规格

2）焊线：将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线。

3）点粉：将硅胶与荧光粉混合均匀涂抹与LED芯片，荧光粉的配比为1510A：1510B：Y42W：LCS-05：AOP：SL2000=1.4:1.4:0.19:0.01:0.015:0.002。

4）将点过胶的LED芯片依次经过烤箱烘烤固化定型、盖透片、压边、注胶、烘烤、分光步骤得到成品。

按照实施例1的生产工艺试产各2K，，表2为抽取200PCS作数据统计测试色温的结果，表3是对试产的产品进行的亮度测试的结果。

表2 加入抗沉淀剂SL2000的成品的色温

从表2中看出成品的色温在6100-6700K的范围内，其中65.5%落在6300-6500K的范围内。

表3 加入抗沉淀剂SL2000的成品的亮度

从表3中得知，亮度在120-130lm之间的的只占1.01%，亮度在130-140lm之间的占47.65%，亮度在140-150之间的占51.34%。

对比例1

除荧光粉成分与实施例1不同外，其余均于实施例1相同。

荧光粉的配比为1510A：1510B：Y42W：LCS-05：AOP：SN200=1.4:1.4:0.19:0.01:0.015:0.002。

按照对比例1的生产工艺试产2K，，表4为抽取200PCS作数据统计测试色温的结果，表5是对试产的产品进行的亮度测试的结果。

表4 加入抗沉淀剂SN200的成品的色温

从表4中可以看出，成品色温都落在5800-7500范围内，色温在6300-6500K的只占46%。

表5 加入抗沉淀剂SN200的成品的亮度

从表3中得知，亮度在120-130lm之间的的占4.00%，亮度在130-140lm之间的占61.50%，亮度在140-150lm之间的占34.50%。

通过比较表2和表4，可以看出与SN200抗沉淀剂相比，加入SL2000抗沉淀剂后，成品的落bin更集中，颜色居中好。

通过比较表3和表5，可以看出与SN200抗沉淀剂相比，加入SL2000抗沉淀剂后，成品的亮度更高。

本发明生产的LED灯成品颜色居中好，亮度高。

本发明可用不违背本发明的精神或主要特征的具体形式来概述，上述实施方案仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的构思和保护范围进行限定，本发明的普通技术人员对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。