技术总结
提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括形成在衬底上方的停止层，和形成在停止层上方的鳍结构。FinFET器件结构包括：形成在鳍结构上方的栅极结构，和邻近栅极结构的源极/漏极(S/D)结构。S/D结构的底面位于高于停止层的底面的位置处，或位于与停止层的底面齐平的位置处。本发明实施例涉及具有停止层的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。
技术研发人员：张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510764636
技术研发日：2015.11.11
技术公布日：2016.12.21