技术领域本发明涉及层叠陶瓷电容器。
背景技术：
层叠陶瓷电容器一般包括：由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状的电容器主体；在电容器主体的长度方向一端部设置的第一外部电极；和在电容器主体的长度方向另一端部设置的第二外部电极。电容器主体具有：由电介质构成的第一保护部；多层内部电极层隔着电介质层层叠而成的电容部；和由电介质构成的第二保护部，并且该第一保护部、电容部和第二保护部按该顺序在高度方向上层状地排列。另外，电容部所包含的多个内部电极层中，从高度方向一方起第奇数个第一外部电极侧的端缘与该第一外部电极电连接，从高度方向一方起第偶数个第二外部电极侧的端缘与该第二外部电极电连接。上述的层叠陶瓷电容器一般通过使用焊料将第一外部电极和第二外部电极的高度方向下侧面分别与电路基板的2个导体焊垫连接来进行所期望的安装。在该安装状态下，通过各导体焊垫对第一外部电极和第二外部电极施加电压、特别是交流电压时，电容器主体产生基于电致收缩的伸缩(主要是电容部在长度方向缩小的收缩及其复原)，伴随该伸缩的应力传递至电路基板而导致振动(主要是导体焊垫间部分凹陷的弯曲及其复原)，存在因该振动而产生可听频率范围(20Hz～20kHz)的声音。对于上述的声音的产生(所谓噪声)尝试各种对策，作为其中一种已知有图1所示那样的层叠陶瓷电容器100的构造(例如参照后述专利文献1)。此外，图1中的101为电容器主体、102为第一外部电极，103为第二外部电极，PP1为第一保护部，CP为电容部，PP2为第二保护部，104为内部电极层，105为介质体层，构造详细情况如上述说明的那样。该层叠陶瓷电容器100的结构上的特征在于，通过使第二保护部PP2的厚度比第一保护部PP1的厚度厚，使电容部CP的高度方向位置向上侧移动。图1所示的层叠陶瓷电容器100与上述相同，通过使用焊料将第一外部电极102和第二外部电极103的高度方向下侧面分别与电路基板的2个导体焊垫连接来进行所期望的安装。但是，该层叠陶瓷电容器100，在安装状态下，电容部CP从各导体焊垫向上侧离开(分离)，因此，伴随电流路径的增长，ESL(等效串联电感)增加。上述的ESL对高频区域、尤其是数百MHz以上的高频区域中的信号传输产生不良影响，因此，将图1所示的层叠陶瓷电容器100用作构成高频电路的部件时，高频信号传输时的传输损失变高，电容器本来的性能难以发挥。现有技术文献专利文献专利文献1：特開2013-251551号公报
技术实现要素：
发明想要解决的技术问题本发明的技术课题在于提供能够抑制在安装状态下产生的噪声并且能够降低数百MHz以上的高频区域中的ESL的层叠陶瓷电容器。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题，本发明提供一种层叠陶瓷电容器，包括：由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状的电容器主体；在上述电容器主体的相对的端部的一端设置的第一外部电极；和在上述电容器主体的相对的端部的另一端设置的第二外部电极，上述电容器主体包括：由电介质构成的第一保护部；N层的内部电极层隔着电介质层层叠而成的电容部，其中，N为3以上的整数；和由电介质构成的第二保护部，并且上述第一保护部、上述电容部和上述第二保护部按该顺序在高度方向上层状地排列，上述N层的内部电极层的各自的轮廓形状相同，从高度方向上的一侧起第奇数个上述第一外部电极侧的端缘与该第一外部电极电连接，从高度方向上的一侧起第偶数个上述第二外部电极侧的端缘与该第二外部电极电连接，上述电容部在高度方向上连续具有高电容部和低电容部，上述高电容部和上述低电容部以上述N层的内部电极层中的除了最上层和最下层之外的1层为共用内部电极层，上述低电容部中所包含的n2层的内部电极层的相对间隔比上述高电容部中所包含的n1层的内部电极层的相对间隔宽，其中，n1为2以上的整数且上述n1层包含上述共用内部电极层，n2为2以上的整数且上述n2层包含上述共用内部电极层。发明效果根据本发明，能够提供能够抑制在安装状态下产生的噪声并且能够降低数百MHz以上的高频区域中的ESL的层叠陶瓷电容器。附图说明图1是现有的层叠陶瓷电容器的纵截面图。图2的(A)是应用本发明的层叠陶瓷电容器的从高度方向一面观看的图，图2的(B)是该层叠陶瓷电容器的从宽度方向一面观看的图。图3是沿着图2(A)的S-S线的放大截面图。图4是图3中标记的X部分的放大图。图5是表示评价用试样各自的规格的图。图6是表示图5所示的评价用试样各自的ESL特性的图。附图标记说明10…层叠陶瓷电容器；11…电容器主体；PP1…第一保护部；PP2…第二保护部；CP…电容部；CP1…高电容部(大电容部)；CP2…低电容部(小电容部)；12…第一外部电极；13…第二外部电极；14、14-1、14-2…内部电极层、14co…共用内部电极层；FI1…高电容部的内部电极层的相对间隔；FI2…低电容部的内部电极层的相对间隔；15、15-1、15-2…电介质层；SA1、SA2、SA3…评价用试样。具体实施方式《层叠陶瓷电容器的基本构造》首先，使用图2～图4，对应用本发明的层叠陶瓷电容器10的基本构造进行说明。此外，图3中后述内部电极层14描绘有30层，但是这是根据图示的情况，并不是限定后述内部电极层14的总层数。图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10包括：由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状的电容器主体11；在电容器主体11的长度方向一端部设置的第一外部电极12；和在电容器主体11的长度方向另一端部设置的第二外部电极13。该层叠陶瓷电容器10呈在标准尺寸下满足长度L＞高度H＞宽度W的条件的大致长方体形状。此外，这里的“标准尺寸”是指不包含制造公差的设计上的标准尺寸，在以下的记载中使用的标准尺寸也是相同意义。如图3所示，电容器主体11包括：由电介质构成的第一保护部PP1；30层的内部电极层14隔着电介质层15层叠而成的电容部CP；和由电介质构成的第二保护部PP2，并且上述第一保护部PP1、上述电容部CP和上述第二保护部PP2按该顺序在高度方向上层状地排列。30层的内部电极层15的各自的轮廓形状为相同的矩形，各自的长度和宽度比电容器主体11的长度和宽度小。另外，30层的内部电极层15中，从高度方向一方(图3中为上方)起第奇数个的第一外部电极12侧的端缘与该第一外部电极12电连接，从高度方向一方(图3为上方)起第偶数个的第二外部电极13侧的端缘与该第二外部电极电连接。另外，如图3所示，电容部CP在高度方向上(图3中从上向下)连续地具有高电容部CP1和低电容部CP2，该高电容部CP1和低电容部CP2以30层的内部电极层15中的除了最上层和最下层之外的1层、具体而言从高度方向一方(图3中为上方)起第24层的这1层为共用内部电极层14co。即，高电容部CP1包括23层的内部电极层14-1(参照图4)和1层共用内部电极层14co，低电容部CP2包括1层共用内部电极层14co和6层的内部电极层14-2(参照图4)。换言之，高电容部CP1和低电容部CP2以共用内部电极层14co为界在高度方向上连续，因此，在两者之间不存在不形成电容的间隙。并且，如图3和图4所示，与高电容部CP1中所包含的24层的内部电极层14(23层的内部电极层14-1和1层的共用内部电极层14co)的相对间隔FI1相比，低电容部CP2在所包含的7层内部电极层14(1层的共用内部电极层14co和6层的内部电极层14-2)的相对间隔FI2宽。此外，相对间隔FI1对应于高电容部CP1中所包含的电介质层15-1(参照图4)的厚度，相对间隔FI2对应于低电容部CP2中所包含的电介质层15-2(参照图4)的厚度。即，低电容部CP2中所包含的24层的内部电极层14的相对间隔FI2比高电容部CP1中所包含的内部电极层14的相对间隔FI1宽，而且低电容部CP2中所包含的7层的内部电极层14的层数比高电容部CP1中所包含的24层的内部电极层14的层数少，所以，低电容部(小电容部)CP2的电容Ccp2比高电容部(大电容部)CP1的电容Ccp1小。并且如图2和图3所示，第一外部电极12和第二外部电极13分别连续具有覆盖电容器主体11的长度方向端面的端面部和覆盖与电容器主体11的长度方向端面邻接的4个面(宽度方向两面和高度方向两面)的一部的抱合部。此外，第一保护部PP1、各电介质层15和第二保护部PP2优选由组成大致相同且介电常数也大致相同的电介质陶瓷形成。这里的“由组成大致相同且介电常数也大致相同的电介质陶瓷”是指，除了组成和介电常数相同的电介质陶瓷之外，还包括根据烧结程度等的关系而组成和介电常数的至少一方在容许范围内稍微不同的电介质陶瓷。该电介质陶瓷能够优选使用以钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、钛酸锆酸钙、锆酸钡、氧化钛等为主成分的电介质陶瓷，更优选能够使用ε＞1000或者2类(CLASS2、高介电常数类)的电介质陶瓷。另外，该电介质陶瓷，优选除了上述主成分之外，还包含(1)锰、铌、钼、钒、钨等的过渡金属的化合物、(2)钆、镝、钬、铒、镱等的稀土金属的化合物、(3)镁化合物、(4)二氧化硅等的硅化合物中的至少一种作为副成分。该副成分的含量，在过渡金属化合物的情况下，相对于主成分100摩尔优选0.1～0.5摩尔，在稀土金属化合物的情况下，相对于主成分100摩尔优选0.1～1.0摩尔，在镁化合物的情况下，相对于主成分100摩尔优选0.1～0.5摩尔，在硅化合物的情况下，相对于主成分100摩尔优选0.1～1.5摩尔。另外，各内部电极层14优选由组成大致相同的良导体形成。这里的“组成大致相同的良导体”是指，除了组成相同的良导体之外，还包括根据烧结程度等的关系组成在容许范围内稍微不同的良导体。该良导体优选能够使用以镍、铜、钯、铂、银、金、它们的合金等为主成分的良导体。并且，第一外部电极12和第二外部电极13具有：包括与电容器主体11的外表面紧贴的基底膜和与该基底膜的外表面紧贴的表面膜的双层构造；或者在基底膜与表面膜之间具有至少一个中间膜的多层构造。基底膜例如由烤印(印制)膜形成，该烤印膜优选能够使用以镍、铜、钯、铂、银、金、它们的合金等为主成分的良导体。表面膜例如由镀膜形成，该镀膜优选能够使用以锡、钯、金、锌、它们的合金等为主成分的良导体。中间膜例如由镀膜形成，该镀膜优选能够使用以铂、钯、金、铜、镍、它们的合金等为主成分的良导体。《层叠陶瓷电容器的基本制法》接着，对图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10的基本制法进行说明。在此，列举以第一保护部PP1、各电介质层15和第二保护部PP2由以钛酸钡为主成分的电介质陶瓷形成，各内部电极层14由以镍为主成分的良导体形成的情况为例说明基本制法，但是，这些材质依赖于说明的情况，并不是限定各自的材质的说明。在制造时，准备包含钛酸钡粉末(主成分)、副成分、乙醇(溶剂)、聚乙烯醇缩丁醛(粘合剂)和分散剂等的添加剂等的陶瓷浆料，并且准备包含镍粉末、萜品醇(溶剂)、乙基纤维素(粘合剂)和分散剂等的添加剂的金属膏。陶瓷浆料的副成分相对于100摩尔的钛酸钡为0.3摩尔的氧化锰和0.5摩尔的氧化钬和1.0摩尔的二氧化硅。接着，使用金属型涂料机、凹版涂敷机等的涂敷装置和干燥装置，在载膜的表现涂敷陶瓷浆料进行干燥，制作第一生片。另外，使用丝网印刷机、凹版印刷机等的印刷装置和干燥装置，在第一生片的表面将金属膏印刷为矩阵状或者交错状(千鸟状)并进行干燥，制作形成了内部电极层用图案组的第二生片。接着，使用具有冲裁刃和加热器的可动式吸附头等的层叠装置，将从第一生片冲裁得到的单位片层叠至达到规定个数，进行热压接，制作与第二保护部PP2对应的部位。接着，使用上述同样的层叠装置，反复进行在从第二生片冲裁得到的单位片(包含内部电极层用图案组)之上将从第一生片冲裁得到的单位片层叠达到规定个数并进行热压接的作业，制作与低电容部CP2对应的部位。接着，使用上述同样的层叠装置，将从第二生片冲裁的单位片(包含内部电极层用图案组)层叠达到规定个数并进行热压接，制作与高电容部CP1对应的部位。接着，使用上述同样的层叠装置，将从第一生片冲裁得到的单位片层叠达到规定个数并进行热压接，制作与第一保护部PP1对应的部位。接着，使用热气静水压机、机械式或者液压式压力机等的正式压接装置，对将上述各部位层叠而成的部件进行正式热压接，制作未烧制层叠片。接着，使用刀片切割机或激光切割机等的切割装置，将未烧制层叠片切割为格子状，制作与电容器主体11对应的未烧制芯片。接着，使用隧道式烧制炉、箱型烧制炉等的烧制装置，将多个未烧制芯片在还原性气氛下或者低氧分压气氛下，以与钛酸钡和镍对应的温度曲线(profile)进行烧制(包含脱粘合剂处理和烧制处理)，制作电容器主体11。接着，使用辊式涂布机、浸渍涂布机等的涂布装置和干燥装置，在电容器主体11的长度方向两端部涂布金属膏(利用上述的金属膏)进行干燥，在上述同样的气氛下进行烤印(印制、热粘)处理形成基底膜后，利用电解电镀等的镀覆处理形成覆盖基底膜的表面膜或者中间膜和表面膜，制作第一外部电极12和第二外部电极13。此外，基底膜可以在未烧制芯片的长度方向两端部涂布电极膏进行干燥之后，将其与未烧制芯片同时烧制而作制。此外，上述的“制作与低电容部CP2对应的部位的步骤”中，为了确保比相对间隔FI1宽的相对间隔FI2，在从第二生片冲裁得到的单位片(包含内部电极层用图案组)之上将从第一生片冲裁得到的单位片层叠至达到规定个数，但也可以预先制作在厚度比第一生片厚的另外的生片的表面形成有内部电极层用图案组的第三生片，将从第三生片冲裁得到的单位片(包含内部电极层用图案组)层叠至达到规定个数，进行热压接，由此也能够制作与低电容部CP2对应的部位。《评价用试样的情况》接中，使用图5，对为了确认效果而准备的评价用试样SA1、SA2、SA3和SAr的规格进行说明。此外，评价用试样SA1、SA2和SA3对应图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10，评价用试样SAr对应图1所示的现有的层叠陶瓷电容器100，因此，在以下的记载中适当应用各图中已标记的附图标记。虽然在图5中未标记，但是，评价用试样SA1、SA2、SA3以及SAr的第一保护部PP1和各电介质层15(105)以及第二保护部PP2由以钛酸钡为主成分的电介质陶瓷形成，各内部电极层14(104)由以镍为主成分的良导体形成。另外，评价用试样SA1、SA2、SA3以及SAr的第一外部电极12(102)和第二外部电极13(103)的厚度(标准尺寸)为30μm，抱合部的长度(标准尺寸)为250μm。图5所示，评价用试样SA1、SA2和SA3的长度L、宽度W和高度H(均为标准尺寸)相同，它们和评价用试样SAr的长度、宽度和高度(均为标准尺寸)也相同。另外，评价用试样SA1、SA2和SA3的高电容部CP1中所包含的内部电极层14的层数NOL14、厚度T14(标准尺寸)和相对间隔FI1(标准尺寸)相同，它们和评价用试样SAr的电容部CP中所包含的内部电极层104的层数、厚度(标准尺寸)和相对间隔(标准尺寸)也相同。评价用试样SA1、SA2和SA3的规格上的不同点在于，各自的低电容部CP2中所包含的内部电极层14的层数NOL14和相对间隔FI2的值不同。具体而言，评价用试样SA1、SA2和SA3的低电容部CP2中所包含的内部电极层14的厚度T14(标准尺寸)相同，但评价用试样SA1的低电容部CP2中所包含的内部电极层14的层数NOL14和相对间隔FI2(标准尺寸)为50层和3.10μm，评价用试样SA2的低电容部CP2中所包含的内部电极层14的层数NOL14和相对间隔FI2(标准尺寸)为42层和4.10μm，评价用试样SA3的低电容部CP2中所包含的内部电极层14的层数NOL14和相对间隔FI2(标准尺寸)为20层和9.70μm。此外，评价用试样SAr中不存在评价用试样SA1、SA2和SA3那样的低电容部CP2。此外，图5中标记的“Ccp2/Ccp1”表示低电容部CP2的电容Ccp2相对于高电容部CP1的电容Ccp1的比。具体而言，虽然评价用试样SA1、SA2和SA3的低电容部CP2均为低值但形成电容，所以，评价用试样SA1的Ccp2/Ccp1为0.05，评价用试样SA2的Ccp2/Ccp1为0.03，评价用试样SA3的Ccp2/Ccp1为0.004。此外，评价用试样SAr中，不存在评价用试样SA1、SA2和SA3那样的低电容部CP2，所以，无法计算出“Ccp2/Ccp1”。《噪声抑制的评价》接着，使用上述的评价用试样SA1、SA2、SA3和SAr，对进行了噪声抑制的评价的结果进行说明。在评价时，准备需要数量的形成有2个导体焊垫的基板，利用焊料将评价用试样SA1、SA2、SA3和SAr的第一外部电极12(102)和第二外部电极13(103)的高度方向下侧面分别与基板的2个导体焊垫连接而成的评价用基板，按每个评价用试样各制作10个。此外，基板为环氧树脂制，基板的厚度为800μm，各导体焊垫为铜制，各导体焊垫的厚度为35μm，各导体焊垫是宽度为500μm且长度为550μm的矩形，焊料为锡-锑类焊料，焊料量为以膏焊料的涂布厚度换算是50μm。接着，对共计40个评价用基板的2个导体焊垫在使频率从0MHz提高至1MHz的同时施加交流电压5V，使用TYPe-3560-B130(Brüel&·日本制)在防声/无声室(横滨音环境系统制(横浜音環境システムズ製))之中分别测定此时产生的可听频率范围(20Hz～20kHz)的最大音量，计算出每个评价用试样的最大音量的平均值。算出的结果能够确认，评价用试样SA1的最大音量的平均值为18.6db，评价用试样SA2的最大音量的平均值为18.3db，评价用试样SA3的最大音量的平均值为18.4db，评价用试样SAr的最大音量的平均值为18.7db，都低于作为噪声的理想上限值的25db。总之，可以说与图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10对应的评价用试样SA1、SA2和SA3对于噪声抑制都是有效的。《ESL降低的评价》接着，使用上述的评价用试样SA1、SA2、SA3和SAr，对进行了ESL降低的评价的结果进行说明。在评价时，将上述同样的评价用基板按每个评价用试样各制作10个，使振荡级为0dbm以频率为1MHz～2GHz的范围施加于各评价用基板的2个导体焊垫，使用4991A(安捷伦·科技制)分别测定此时产生的ESL(ESL特性)，计算出每个评价用试样的不同频率的平均值。图6是在横轴表示频率(MHz)且纵轴表示ESL(nH)的图表中标绘每个评价用试样的不同频率的平均值来描绘ESL特性线的图。从图6可知，评价用试样SA1的ESL在7.5MHz～2GHz的频率范围中比评价用试样SAr的ESL低，评价用试样SA2的ESL在75MHz～2GHz的频率范围中比评价用试样SAr的ESL低，评价用试样SA3的ESL在4MHz～100MHz的频率范围和550MHz～2GHz的频率范围中比评价用试样SAr的ESL低。在与评价用试样SAr的ESL特性的比较中，基于评价用试样SA1、SA2和SA3的ESL特性的共通的优点在于，550MHz～2GHz的频率范围中的ESL比评价用试样SAr的该频率范围中的ESL低。总之，可以说与图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10对应的评价用试样SA1、SA2和SA3，对于在550MHz以上的高频区域中的ESL降低都是有效的，即使在将它们用于构成高频电路的部件的情况下，也能够发挥电容器本来的能力。如在上文所述的那样，评价用试样SA1、SA2和SA3都在高电容部CP1和低电容部CP2以共用内部电极层14co为界在高度方向上连续这点与评价用试样SAr的构造不同，评价用试样SAr不具有的低电容部CP2能够以图5中记载的“Ccp2/Ccp1”的值、图5中记载的“FI1”和“FI2”的值具有特征(特征化)。即，基于图5中记载的“Ccp2/Ccp1”的值换言之，在高电容部CP1的电容Ccp1和低电容部CP2的电容Ccp2满足0.004≤Ccp2/Ccp1≤0.05的条件时，能够说能够同样地发挥ESL降低效果。另一方面，基于图5中记载的“FI1”和“FI2”的值换言之，在高电容部CP1中所包含的内部电极层14的相对间隔FI1和低电容部CP2中所包含的内部电极层14的相对间隔FI2满足4.0≤FI2/FI1≤12.6的条件时，可以说能够同样地发挥ESL降低效果。另外，在评价用试样SAr的ESL特性的比较中，基于评价用试样SA1、SA2和SA3的ESL特性的分别的优点在于，评价用试样SA1的ESL降低在包含高频区域的宽的频率范围中实现，评价用试样SA3的ESL降低在高频区域中特别显著地实现，评价用试样SA2的ESL降低以评价用试样SA1和SA3的中间的特点实现。总之，与图2～图4所示的层叠陶瓷电容器10对应的评价用试样SA1、SA2和SA3对于ESL降低有用的频率范围不同，所以，当将它们用作构成高频电路的部件时，考虑其使用频率范围能够选择性地使用，由此，能够适当获得适合于使用频率范围的ESL降低效果。《关于评价用试样SA1、SA2和SA3的补充》(1)作为使用图5说明的评价用试样SA1、SA2和SA3，例示了长度L(标准尺寸)为1180μm、宽度W(标准尺寸)为680μm、高度H(标准尺寸)为880μm的例子，但是，只要在标准尺寸下满足长度L＞高度H＞宽度W的条件时，长度L、宽度W和高度H的值与上述值不同，也能够获得与上述同样的噪声抑制效果和ESL降低效果。当然，只要采用高电容部CP1和低电容部CP2以共用内部电极层14co为界在高度方向上连续的构造，即使在标准尺寸下满足长度L＞宽度W＝高度H的条件或者长度L＞宽度W＞高度H的条件，也能够获得与上述同样的噪声抑制效果和ESL降低效果。(2)作为使用图5说明的评价用试样SA1、SA2和SA3，表示了高电容部CP1中所包含的内部电极层14的层数NOL14为386层，厚度T14(标准尺寸)为0.70μm，相对间隔FI1(标准尺寸)为0.77μm，在低电容部CP2中，内部电极层14的层数NOL14为50层、42层和20层，厚度T14(标准尺寸)为0.70μm，相对间隔FI2(标准尺寸)为3.10μm、4.10μm和9.70μm，但是，只要采用高电容部CP1和低电容部CP2以共用内部电极层14co为界在高度方向上连续的构造，即使高电容部CP1中所包含的内部电极层14的层数NOL和厚度T14以及相对间隔FI1，和在低电容部CP2中内部电极层14的层数NOL14和厚度T14(标准尺寸)以及相对间隔FI2与上述值不同，也能够获得与上述同样的噪声抑制效果和ESL降低效果。(3)作为使用图5说明的评价用试样SA1、SA2和SA3，表示了将包含钛酸钡作为主成分、且相对于100摩尔钛酸钡包含0.3摩尔的氧化锰和0.5摩尔的氧化钬和1.0摩尔的二氧化硅作为副成分的电介质陶瓷用于第一保护部PP1和各电介质层15以及第二保护部PP2，但只要各自使用的电介质陶瓷为ε＞1000或者2类(高介电常数类)的电介质陶瓷，即使主成分和副成分的至少一者与上述不同，也能够获得与上述同样的噪声抑制效果和ESL降低效果。另外，表示了在第一保护部PP1和各电介质层15以及第二保护部PP2使用主成分和副成分相同的电介质陶瓷，但是，只要第一保护部PP1和各电介质层15以及第二保护部PP2使用的电介质陶瓷为ε＞1000或者2类(高介电常数类)的电介质陶瓷，即使在各电介质层15和第一保护部PP1以及第二保护部PP2中主成分和副成分的至少一者不同的情况下，也能够获得与上述同样的噪声抑制效果和ESL降低效果。