1.一种阵列基板，包括衬底以及薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次形成的第一导电层、有源层、绝缘层和第二导电层；所述第一导电层包括间隔设置的源极与漏极，所述源极和所述漏极之间夹设有沟道；所述有源层包括设置于所述沟道内且两端分别搭接于所述源极和所述漏极顶部的半导体层以及贴附于所述半导体层上的保护层；所述绝缘层包括位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部；所述第二导电层包括位于所述栅极绝缘部上并相对于所述沟道而设置的栅极部，所述绝缘层还包括位于所述衬底上的像素部，所述像素电极形成于所述像素部上；
所述第一导电层还包括数据信号线和控制信号线，所述数据信号线和所述控制信号线相交并且在相交处所述数据信号线和控制信号线之一断开以形成断开处，所述半导体层和所述保护层覆盖在所述数据信号线或控制信号线穿过所述断开处的部分。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括形成于所述衬底与所述薄膜晶体管之间的缓冲层，所述源极和所述漏极形成于所述缓冲层表面。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由单层缓冲层材料构成或者由多层缓冲层材料层叠设置而构成。
4.一种TFT器件，其特征在于，包括如权利要求1至3任意一项所述阵列基板，所述绝缘层还包括覆盖所述数据信号线或所述控制信号线穿过所述断开处的部分的信号线绝缘部，所述第二导电层还包括覆盖所述信号线绝缘部并电性连接断开的所述数据信号线或所述控制信号线的连接部；所述源极电性连接所述数据信号线，所述栅极部电性连接所述控制信号线。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
沉积第一导电层；
第一次光刻掩模，对所述第一导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第一导电层在所述衬底上形成间隔设置的源极和漏极，所述源极、所述漏极和所述衬底之间形成沟道，并使所述第一导电层形成数据信号线和控制信号线，所述数据信号线和所述控制信号线相交并且在相交处所述数据信号线和控制信号线之一断开以形成断开处；所述源极电性连接所述数据信号线；
依次沉积半导体层和保护层；
第二次光刻掩模，对所述半导体层和所述保护层进行曝光、显影和刻蚀，使所述半导体层和所述保护层覆盖在所述数据信号线或控制信号线穿过所述断开处的部分，并刻蚀掉除与所述沟道、所述源极和所述漏极接触以外的所述半导体层和所述保护层；
沉积绝缘层；
第三次光刻掩模，对所述绝缘层进行曝光、显影和刻蚀，使所述绝缘层形成位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部以及连通至所述漏极的通孔；
沉积第二导电层；
第四次光刻掩模，对所述第二导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第二导电层形成间隔设置的栅极部和像素电极，所述栅极部与所述半导体层相对应，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极相连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在沉积第一导电层的步骤之前，还包括：在所述衬底表面沉积一缓冲层的步骤；在沉积第一导电层的步骤中，所述第一导电层沉积在所述缓冲层上。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层由单层缓冲层材料构成或者由多层缓冲层材料层叠设置而构成。
8.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第一次光刻掩模的步骤之前，还包括在第一导电层上沉积欧姆接触层；在第一次光刻掩模的步骤中，对所述第一导电层和欧姆接触层同时进行曝光、显影和刻蚀。
9.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层由非晶硅半导体材料或者金属氧化物半导体材料制成。
10.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为透明导电材料或者金属材料。
11.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为透明导电金属氧化物。
12.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或者氧化镓锌。
13.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银，或者为具有钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银的化合物。
14.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在沉积绝缘层的步骤中，采用化学气相沉积、原子层沉积或者溅射方式实现。
15.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第三次光刻掩模的步骤中，还包括使所述绝缘层包括覆盖所述数据信号线或控制信号线穿过上述断开处部分的信号线绝缘部。
16.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述第二导电层包括覆盖上述信号线绝缘部并电性连接断开的数据信号线或控制信号线的连接部。
17.如权利要求16所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述栅极部电性连接所述控制信号线。