技术总结
对于pin二极管，除使用了低浓度阳极层和局部寿命控制等的软恢复方案之外，提供一种新的软恢复的方案。提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移层，设置在第一导电型的半导体基板；第二导电型的表面侧区域，设置在漂移层的表面侧；绝缘膜层，设置在表面侧区域的表面侧，并且厚度比自然氧化膜更薄；以及金属层，设置在绝缘膜层的表面侧。
技术研发人员：小川惠理;吉村尚;
受保护的技术使用者：富士电机株式会社;
文档号码：201580002936
技术研发日：2015.06.17
技术公布日：2016.07.27