技术总结
提供了可在高功率电子器件中使用的可调势垒晶体管的各种方面。在一个例子中，除了别的以外，可调势垒晶体管还包括：无机半导电层；包括布置在无机半导电层上的纳米碳膜的源极电极；布置在纳米碳膜上的栅极介电层；以及布置在纳米碳膜的至少一部分之上的栅极介电层上的栅极电极。纳米碳膜可形成与无机半导电层的源极‑沟道界面。由栅极电极产生的栅极场可调制在源极‑沟道界面处的势垒高度。栅极场也可调制在源极‑沟道界面处的势垒宽度。
技术研发人员：马克斯·G·莱迈特雷;陈霄;刘波;M·A·麦卡锡;A·G·林兹勒
受保护的技术使用者：佛罗里达大学研究基金会公司
文档号码：201580021338
技术研发日：2015.04.24
技术公布日：2016.12.21