1.一种用于晶片级封装的切割方法，包括：
提供具有集成电路区域(2、20)的半导体衬底(1)；
在衬底(1)中所述集成电路区域(2、20)之间形成沟槽(7)；
在所述集成电路区域(2、20)上方和所述沟槽(7)上方施加带层(14)；
从与所述带层(14)相对的衬底侧(17)去除所述衬底(1)的层部分，直到所述沟槽(7)被打开并且因此实现所述衬底(1)的切割为止；以及
去除所述带层(14)，
其特征在于，
在形成所述沟槽(7)之后，在施加所述带层(14)之前，在所述集成电路区域(2、20)上方和所述沟槽(7)上方施加聚酰亚胺层(8)；以及
当所述带层(14)被去除时，所述聚酰亚胺层(8)在所述沟槽(7)上方被切断。
2.根据权利要求1所述的切割方法，其中，所述聚酰亚胺层(8)作为跨越所述沟槽(7)的干膜来施加。
3.根据权利要求1或2所述的切割方法，其中，所述聚酰亚胺层(8)在所述沟槽(7)附近设置有断裂定界(9)。
4.根据权利要求3所述的切割方法，其中，所述断裂定界(9)由所述聚酰亚胺层(8)中的间隙形成。
5.根据权利要求3或4所述的切割方法，其中，所述聚酰亚胺层(8)是光敏的，并且使用光刻法来形成所述断裂定界(9)。
6.根据权利要求1至5中的一项所述的切割方法，还包括：
所述集成电路区域(2、20)设置有未被所述聚酰亚胺层(8)覆盖的接触焊垫(5)；以及
在施加所述带层(14)之前施加凸点接触(13)，每个所述凸点接触(13)与所述接触焊垫(5)中的一个接触焊垫电连接。
7.根据权利要求6所述的切割方法，还包括：
在所述聚酰亚胺层(8)上施加导电层(10)，所述导电层(10)的部分接触所述接触焊垫(5)；
在所述导电层(10)上施加覆盖层(11)，所述覆盖层(11)不覆盖所述导电层(10)的局部区域；
在施加所述带层(14)之前，在所述导电层(10)的未被覆盖区域上施加凸点下金属化层(12)和所述凸点接触(13)；以及
在所述覆盖层(11)上施加所述带层(14)。
8.根据权利要求7所述的切割方法，其中，通过旋涂液体聚酰亚胺层来施加所述覆盖层(11)。
9.根据权利要求1至8中的一项所述的切割方法，还包括：
在所述沟槽(7)已经被打开之后并且在所述带层(14)被去除之前，将切割箔(16)施加至所述半导体衬底(1)，所述切割箔(16)是柔性的以使得所述聚酰亚胺层(8)能够通过断裂而被切断。
10.一种半导体芯片，包括：
具有设置有接触焊垫(5)的集成电路区域(2、20)的半导体衬底(1)；
布置在所述集成电路区域(2、20)上方的聚酰亚胺层(8)，所述聚酰亚胺层(8)不覆盖所述接触焊垫(5)；以及
与所述接触焊垫(5)电连接的凸点接触(13)，
其特征在于，
覆盖层(11)布置在所述聚酰亚胺层(8)上；以及
所述覆盖层(11)横向限制所述聚酰亚胺层(8)。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片，还包括：
在所述聚酰亚胺层(8)上的导电层(10)，所述导电层(10)的部分接触所述接触焊垫(5)；以及
施加至所述导电层(10)的凸点下金属化层(12)和所述凸点接触(13)。
12.根据权利要求10或11所述的半导体芯片，其中，所述覆盖层(11)不覆盖所述凸点接触(13)。
13.根据权利要求10至12中的一项所述的半导体芯片，其中，所述覆盖层(11)是另外的聚酰亚胺层。
14.根据权利要求10至13中的一项所述的半导体芯片，其中，所述覆盖层(11)对所述聚酰亚胺层(8)的横向限制被设置为用于晶片切割的断裂定界(9)。