1.一种半导体装置，具有：
半导体基板，其在表面上形成有沟槽；
沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；
层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；
肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触，
埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；
表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖，
在被所述埋入电极覆盖的范围内，所述半导体基板的所述表面与所述肖特基电极的侧面之间的角度大于90度。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在被所述埋入电极覆盖的范围内，所述半导体基板的所述表面与所述层间绝缘膜的侧面之间的角度大于90度。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在所述肖特基电极与所述表面电极之间、以及所述层间绝缘膜与所述表面电极之间，配置有相对于所述埋入电极而具有蚀刻选择性的势垒金属层。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述埋入电极相对于所述半导体基板而欧姆接触。
5.一种制造半导体装置的方法，具有：
在半导体基板的表面上形成沟槽的工序；
在所述沟槽内形成沟槽电极的工序；
在所述沟槽电极的表面上形成第一凸部的工序，所述第一凸部包括对所述沟槽电极的表面进行覆盖的层间绝缘膜并从所述半导体基板的所述表面突出；
在所述半导体基板的所述表面上且从所述第一凸部离开了的位置处形成第二凸部的工序，所述第二凸部包括相对于所述半导体基板而肖特基接触的肖特基电极并从所述半导体基板的所述表面突出；
以对所述第一凸部、所述第二凸部、所述第一凸部与所述第二凸部之间的所述半导体基板的所述表面进行覆盖的方式而使埋入电极生长的工序；
以使所述第一凸部和所述第二凸部的表面露出、并使所述第一凸部与所述第二凸部之间的凹部内残留有所述埋入电极的方式而对所述埋入电极进行蚀刻的工序；
在所述蚀刻之后，使对所述第一凸部、所述埋入电极以及所述第二凸部进行覆盖的表面电极生长的工序。
6.如权利要求5所述的方法，其中，
所述埋入电极由与所述肖特基电极不同的金属而构成。