1.一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于：
所述空穴注入层为含Ga的P型氧化物半导体。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：
所述P型氧化物半导体包括向CuS及SnO掺入的所述Ga。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其特征在于：
所述Ga的范围为整个组成的10至70百分比(原子百分比)。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，
所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，
[化学式1]
CuS1-xGax-SnO
[化学式2]
CuSGaxSn1-xO
[化学式3]
CuSGaxSnO，
所述化学式1、化学式2或化学式3中0＜x＜1。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：
所述空穴注入层经过了在预设温度进行热处理，或者经过了UV处理。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于：
所述空穴注入层的热处理温度的范围为150至250℃。
7.一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入·输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于：
所述空穴注入·输送层是含Ga的P型氧化物半导体。
8.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于，包括：
通过真空沉积工序在基板上形成阳极的步骤；
通过溶液工序在所述阳极上形成空穴注入层的步骤；
通过真空沉积工序在所述空穴注入层上形成空穴输送层的步骤；
通过真空沉积工序在所述空穴输送层上形成发光层的步骤；
通过真空沉积工序在所述发光层上形成电子输送层的步骤；及
在所述电子输送层上形成阴极的步骤，
所述空穴注入层由P型氧化物半导体混合到溶剂的溶液成膜形成。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
所述P型氧化物半导体包括向CuS及SnO掺入的所述Ga。
10.根据权利要求8或9所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
所述Ga的范围为整个组成的10至70百分比(原子百分比)。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管制造方法，
所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，
[化学式1]
CuS1-xGax-SnO
[化学式2]
CuSGaxSn1-xO
[化学式3]
CuSGaxSnO，
所述化学式1、化学式2或化学式3中0＜x＜1。
12.根据权利要求8所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
向乙二醇混合5至50体积百分比的氰化甲烷、去离子水、乙醇、环己烷、甲苯及有机溶剂中至少一个得到所述溶剂。
13.根据权利要求8所述的有机发光二极管制造方法，所述P型氧化物半导体通过依次执行以下步骤形成：
(a)制备含Cu、S、M及Ga的前驱体溶液的步骤(其中，M为选自SnO、ITO、IZTO、IGZO及IZO的一种以上化合物)；
(b)将所述前驱体溶液涂布到基板上的步骤；以及
(c)热处理所述涂层的步骤。
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
所述前驱体溶液含[CuTu3]Cl。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
所述前驱体溶液含硫脲。
16.根据权利要求8所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：
所述空穴注入层经过了在预设温度进行热处理，或者经过了UV处理。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其特征在于：
所述空穴注入层的热处理温度的范围为150至250℃。