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半导体的激光掺杂的制作方法
文档序号:11452955
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来源:国知局
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半导体的激光掺杂的制造方法与工艺
技术特征:
技术总结
本发明涉及制备具有不同掺杂的区域的结构化的高效太阳能电池和光伏元件的方法。本发明同样涉及通过以此方式制备的具有提高的效率的太阳能电池。
技术研发人员:
O·多尔;I·克勒;S·巴尔特
受保护的技术使用者:
默克专利股份有限公司
技术研发日:
2015.12.01
技术公布日:
2017.08.29
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