技术特征：
技术总结
描述了用于对集成电路中的场效应晶体管结构的鳍片进行掺杂的双高度玻璃。在一个示例中，方法包括在FinFET结构的鳍片上面涂敷玻璃层，鳍片具有源极/漏极区域和栅极区域，在栅极区域上面涂敷多晶硅层，在涂敷多晶硅之后从源极/漏极区域移除玻璃层的一部分，以及对玻璃进行热退火以驱动掺杂剂进入到鳍片中，并且在源极/漏极区域上面涂敷外延层。
技术研发人员：C-G.李;L.杨;J.朴;C-H.詹
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.06.22
技术公布日：2018.03.02