技术特征：
技术总结
一种存储单元及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有阱区；在衬底的阱区表面形成分立的选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构；以选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构为掩膜，在衬底的阱区内形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第三轻掺杂区，第一轻掺杂区和第二轻掺杂区位于选择栅结构两侧，且第二轻掺杂区位于相邻选择栅结构和浮栅结构之间，第三轻掺杂区位于相邻浮栅结构和伪栅结构之间；之后，在选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构的侧壁表面以及部分衬底表面形成侧墙；以浮栅结构、伪栅结构和侧墙为掩膜，在第三轻掺杂区内形成源区，第三轻掺杂区包围源区。所形成的存储单元漏电流减少、性能提高。
技术研发人员：洪波;张帅
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.02.03
技术公布日：2017.08.11