技术特征：
技术总结
本发明提供了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，其中，制备方法包括：在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环；在硅衬底的背侧形成第二离子掺杂区；在形成分压环的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层；对第一离子掺杂区上方的指定区域的氧化物隔离层和介质层进行刻蚀，以形成金属接触孔；在形成金属接触孔的正侧形成金属层，并对金属层进行刻蚀，以形成金属电极；在形成金属电极后，去除介质层，以完成光电二极管的制备过程。通过本发明技术方案，减少了金属刻蚀过程对氧化物隔离层的污染和离子损伤，提升了光电二极管的器件可靠性。
技术研发人员：马万里;高振杰;石金成
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.02
技术公布日：2017.09.12