技术总结
本发明提供一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：1)取Al衬底，在Al衬底表面退火处理；2)外延生长AlGaN薄膜：将步骤1)处理后的Al衬底，以Al(111)面为外延面，利用激光烧蚀GaN靶材外延生长AlGaN薄膜。该方法利用了Al(111)的优势：Al(111)衬底与AlGaN(0002)之间晶格失配较小，介于8.9％‑11.4％，有利于AlGaN材料的形核和生长。该方法通过使Al衬底中的Al原子扩散到GaN的晶格中，可简单、高效地制备高质量的不同Al组分的AlGaN薄膜。生长的AlGaN薄膜可在紫外探测器、紫外LED等制造领域发挥重要的作用。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2016.03.15
技术公布日：2018.11.20