1.一种用于等离子体处理室的边缘环组件，其包括：
边缘环，其被配置成围绕静电卡盘(ESC)，所述静电卡盘被配置用于与第一RF功率源的电连接，所述静电卡盘具有用于支撑衬底的上表面和围绕所述上表面的环形台阶，所述环形台阶限定低于所述上表面的环形架；
设置在所述边缘环下方且在所述环形架上方的环形电极；
电介质环，其设置在所述环形电极下方以用于将所述环形电极与所述静电卡盘隔离，所述电介质环布置在所述环形架上方；和
多个绝缘连接件，其设置成通过所述静电卡盘和通过所述电介质环，所述多个绝缘连接件中的每个提供第二RF功率源和所述环形电极之间的电连接。
2.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述多个绝缘连接件中的每个由同轴连接件定义。
3.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述多个绝缘连接件被配置成将所述第二RF功率源与所述第一RF功率源隔离。
4.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述边缘环具有上表面，所述边缘环的所述上表面具有限定在所述边缘环的内径处的台阶边缘，所述台阶边缘的下部被配置成位于低于所述ESC的所述上表面的高度，使得所述衬底在存在时在所述台阶边缘的所述下部上方延伸。
5.根据权利要求4所述的边缘环组件，其中所述环形电极的至少一部分被布置在所述边缘环的所述台阶边缘下方。
6.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中在等离子体处理过程中施加RF功率至所述环形电极导致在所述等离子体处理过程中限定的等离子体鞘大致在所述边缘环的上方限定的空间区域径向延伸。
7.根据权利要求6所述的边缘环组件，其中在等离子体处理过程中施加RF功率至所述环形电极减少在所述衬底的边缘区域的离子聚焦。
8.一种用于等离子体处理的系统，其包括：
处理室；
静电卡盘(ESC)，其设置在所述处理室中，所述静电卡盘具有被配置成在等离子体处理过程中支撑衬底的上表面，所述静电卡盘还包括围绕所述上表面的环形台阶，所述环形台阶限定在低于所述上表面的高度的环形架，所述环形架配置成容纳边缘环组件，所述边缘环组件包括构造成围绕所述静电卡盘的边缘环，设置在所述缘环下方的环形电极，以及设置在所述环形电极的下方且在所述环形架上方的电介质环；
偏置电极，其布置在所述ESC中，所述偏置电极配置成接收来自第一RF功率源的RF功率，以在所述衬底上产生偏压；
多个绝缘连接件，其设置成通过所述ESC，所述多个绝缘连接件配置成被设置为通过所述电介质环，所述多个绝缘连接件中的每个配置成提供第二RF功率源和所述环形电极之间的电连接。
9.一种用于等离子体处理的系统，其包括：
处理室；
静电卡盘(ESC)，其设置在所述处理室中，所述ESC具有被配置成在等离子体处理过程中支撑衬底的上表面，所述ESC还包括围绕所述上表面的环形台阶，所述环形台阶限定在低于所述上表面的高度处的环形架，所述环形架配置成容纳边缘环组件，所述边缘环组件包括配置成围绕所述ESC的边缘环，所述边缘环组件还包括电介质环；
布置在所述ESC中的偏置电极，所述偏置电极配置成接收来自所述第一RF功率源的RF功率，以在所述衬底上产生偏压；
布置在所述ESC中的环形电极，所述环形电极被布置在所述ESC的所述上表面的外周区域下方；和
设置成通过所述ESC的多个绝缘连接件，所述多个绝缘连接件中的每个配置成提供所述第二RF功率源和所述环形电极之间的电连接；
其中所述电介质环被布置在所述环形电极的下方且在所述环形架的上方。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述环形电极和所述多个绝缘连接件被配置成将所述第二RF功率源与所述第一RF功率源隔离。