技术特征：
1.一种降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，包括：执行步骤S1：提供具有二氧化硅薄膜的硅基衬底；执行步骤S2：对所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，以在所述二氧化硅薄膜之异于所述硅基衬底的一侧形成氮化物处理层；执行步骤S3：进行像素层光刻和离子注入，以形成功能器件；执行步骤S4：对完成离子注入工艺之硅基衬底进行热处理，以激活注入杂质和修复注入损伤；执行步骤S5：在制备栅氧化层前，去除所述氮化物处理层和所述二氧化硅薄膜，以及离子注入引入的金属污染。2.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，进一步包括：在所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理后，进行温度为1000℃，时间为20s的热处理。3.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，氮化物处理层为SiOxNy，0≤x＜2，4.如权利要求3所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层为Si3N4。5.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层的厚度为10～15埃。6.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述硅基衬底之二氧化硅薄膜的厚度为60～80埃。7.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层和所述二氧化硅薄膜，以及离子注\t入引入的金属污染的去除方法为湿法刻蚀。8.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述功能器件为光电二极管。