技术特征：
技术总结
一种多阈值电压晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有层间介质层和贯穿层间介质层的第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，第一开口和第二开口底部的基底中掺杂有第一离子，第四开口和第五开口底部的基底中掺杂有第二离子；在六个开口的侧壁和底部依次叠层形成第一P型功函数层、第一阻挡层和第二P型功函数层；去除第一、四、五和六开口中的第二P型功函数层后，去除第四、五和六开口中的第一阻挡层；之后在六个开口的侧壁和底部依次叠层形成第一N型功函数层和第二N型功函数层；去除第一、二、三和四开口中的第二N型功函数层。所述方法简化了工艺并提高了性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.05.11
技术公布日：2017.11.21