技术特征：
1.一种用于集成电路的密封系统，其包含：第一密封环，其限定所述集成电路，所述第一密封环包括至少一个间隙；第二密封环，其限定所述第一密封环，所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙；以及每一间隙下的掺杂区域，其具有比直接位于所述第一密封环和所述第二密封环的任意部分下方的掺杂浓度更低的掺杂浓度，所述掺杂区域增加对跨越每一间隙的信号传播的抵抗力。2.根据权利要求1所述的密封系统，其进一步包含连接到所述第一密封环的至少一个接地衬垫。3.根据权利要求1所述的密封系统，其中所述第一密封环包含至少两个间隙，且所述第二密封环包含至少两个间隙。4.根据权利要求1所述的密封系统，其进一步包含连接到所述第二密封环的至少一个接地衬垫。5.一种用于集成电路(IC)的密封系统，其包含：第一密封装置，其限定所述集成电路，所述第一密封装置包括至少一个间隙；具有第一掺杂浓度的第一掺杂沟道，所述第一掺杂沟道在所述第一密封装置的路径下方且沿着所述第一密封装置的路径；第二密封装置，其限定所述第一密封装置，所述第二密封装置包括从所述第一密封装置的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙；具有第二掺杂浓度的第二掺杂沟道，所述第二掺杂沟道位于所述第二密封装置的路径下方且沿着所述第二密封装置的路径，其中，所述第一掺杂沟道的至少一个间隙部分位于所述第一密封装置的至少一个间隙下方且具有比所述第一掺杂浓度小的掺杂浓度。6.根据权利要求5所述的密封系统，其进一步包含连接到所述第一密封装置的接地装\t置。7.根据权利要求5所述的密封系统，其中所述第一密封装置包含至少两个间隙，且所述第二密封装置包含至少两个间隙。8.根据权利要求5所述的密封系统，其进一步包含连接到所述第二密封装置的接地装置。9.根据权利要求8所述的密封系统，其中所述接地装置经由所述IC上的引脚而接地。10.根据权利要求5所述的密封系统，其中位于所述第二密封装置的所述至少一个间隙下方的第二掺杂沟道的间隙部分具有比所述第二掺杂浓度小的掺杂浓度。11.根据权利要求5所述的密封系统，其中所述第一掺杂沟道的所述至少一个间隙部分基本无掺杂。12.一种具有密封系统的集成电路，其包含：衬底，所述衬底包括具有第一掺杂浓度的第一掺杂沟道，所述第一掺杂沟道包括具有小于所述第一掺杂浓度的掺杂浓度的间隙部分；第一密封环，其限定所述集成电路，所述第一密封环在所述第一掺杂沟道的路径上方且沿着所述第一掺杂沟道的路径，所述第一密封环包括位于所述第一掺杂沟道的所述间隙部分上方的至少一个间隙；以及第二密封环，其限定所述第一密封环。13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述第一掺杂沟道的所述至少一个间隙部分基本无掺杂。14.一种用于形成用于集成电路的密封系统的方法，其包含：提供衬底；在所述衬底中形成具有第一掺杂浓度的第一掺杂沟道，所述第一掺杂沟道包括具有小于所述第一掺杂浓度的掺杂浓度的至少一个间隙部分；在所述衬底中形成具有第二掺杂浓度的第二掺杂沟道，所述第二掺杂沟道包括具\t有小于所述第二掺杂浓度的掺杂浓度的至少一个间隙部分；形成限定所述集成电路的第一密封环，所述第一密封环在所述第一掺杂沟道的上方且沿着所述第一掺杂沟道，所述第一密封环包括位于所述第一掺杂沟道的至少一个间隙部分的上方的至少一个间隙；以及形成限定所述第一密封环的第二密封环，所述第二密封环在所述第二掺杂沟道的上方且沿着所述第二掺杂沟道，所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙且位于所述第二掺杂沟道的至少一个间隙部分的上方。15.根据权利要求14所述的方法，其包含：当形成所述第一掺杂沟道时阻碍所述第一掺杂沟道的至少一个间隙部分的掺杂，以及当形成所述第二掺杂沟道时阻碍所述第二掺杂沟道的至少一个间隙部分的掺杂。16.一种用于集成电路的密封系统，其包含：衬底；第一掺杂沟道，其沿着所述衬底的第一路径，所述第一掺杂沟道具有第一掺杂浓度且具有至少一个间隙，所述至少一个间隙的掺杂浓度不同于所述第一掺杂浓度；第一密封环，其限定所述集成电路，所述第一密封环在所述第一掺杂沟道上方且沿着所述第一掺杂沟道，所述第一密封环包括位于所述第一掺杂沟道的所述至少一个间隙上方的至少一个间隙；以及第二掺杂沟道，其沿着所述衬底的第二路径且限定所述第一掺杂路径，所述第二掺杂沟道具有第二掺杂浓度且具有至少一个间隙，所述第二掺杂沟道的所述至少一个间隙的掺杂浓度不同于所述第二掺杂浓度；第二密封环，其限定所述第一密封环，所述第二密封环在所述第二掺杂沟道上方且沿着所述第二掺杂沟道，所述第二密封环包括位于所述第一掺杂沟道的所述至少一个间隙上方的至少一个间隙；所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙且位于所述第二掺杂沟道的至少一个间隙部分的上方。17.根据权利要求16所述的密封系统，其中所述第一掺杂沟道的所述至少一个间隙的\t掺杂浓度基本为0。18.根据权利要求16所述的密封系统，其包含连接到所述第二密封环的至少一个接地衬垫。19.根据权利要求16所述的密封系统，其中所述第一掺杂沟道的至少一个间隙的掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度。20.一种用于形成用于集成电路的密封系统的方法，其包含：提供衬底的步骤；在所述衬底中形成具有第一掺杂浓度的第一掺杂沟道的步骤，所述第一掺杂沟道包括具有小于所述第一掺杂浓度的掺杂浓度的至少一个间隙部分；在所述衬底中形成具有第二掺杂浓度的第二掺杂沟道的步骤，所述第二掺杂沟道包括具有小于所述第二掺杂浓度的掺杂浓度的至少一个间隙部分；形成限定所述集成电路的第一密封环的步骤，所述第一密封环在所述第一掺杂沟道的上方且沿着所述第一掺杂沟道，所述第一密封环包括位于所述第一掺杂沟道的至少一个间隙部分的上方的至少一个间隙；以及形成限定所述第一密封环的第二密封环的步骤，所述第二密封环在所述第二掺杂沟道的上方且沿着所述第二掺杂沟道，所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述至少一个间隙偏移的至少一个间隙且位于所述第二掺杂沟道的至少一个间隙部分的上方。