一种正偏BE结晶体管变容电路的制作方法

文档序号:11869945阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,包括偏置电压端口、通直器、限流电阻、第一电容、晶体管、第二电容、限直器及应用端口;偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。

2.根据权利要求1 所述的正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,所述偏置电压,通直器,限流电阻构成一正偏BE结结构。

3.根据权利要求1所述的正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,所述第一电容和第二电容构成一串联支路,其电容值的改变可以帮助晶体管变容实现合适的变容范围。

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