技术特征：
1.一种集成沟槽肖特基的MOSFET，包括从下至上依次层叠设置的漏极金属层(12)、N型重掺杂衬底(1)、N型漂移区(2)、P型掺杂区(3)和源极金属层(10)；所述P型掺杂区(3)中具有N型重掺杂区(5)、P型重掺杂区(4)和沟槽(9)，所述N型重掺杂区(5)位于P型掺杂区(3)的上层，N型重掺杂区(5)的上表面与源极金属层(10)接触，所述沟槽(9)贯穿N型重掺杂区(5)的中部并向下延伸至N型漂移区(2)中，沟槽(9)的上表面与源极金属层(10)接触；所述P型重掺杂区(4)位于N型重掺杂区(5)远离沟槽(9)的一侧，P型重掺杂区(4)与N型重掺杂区(5)的底部连接，形成欧姆接触；源极金属层(10)沿N型重掺杂区(5)的侧面向下延伸至与P型重掺杂区(4)接触；所述沟槽(9)中填充有介质(6)，在介质(6)中具有多晶硅(7)；所述沟槽(9)位于N型漂移区(2)中部分的末端填充有金属(8)；所述N型漂移区(2)中还具有N型轻掺杂环(11)，所述N型轻掺杂环(11)与金属(8)接触，并形成肖特基结；所述金属(8)与源极金属层(10)电气连接；所述多晶硅(7)为栅电极；所述P型掺杂区(3)的掺杂浓度大于N型漂移区(2)的掺杂浓度两个数量级；所述的P型重掺杂区(4)的掺杂浓度大于P型掺杂区(3)的掺杂浓度两到三个数量级。2.根据权利要求1所述的一种集成沟槽肖特基的MOSFET，其特征在于，所述沟槽(9)下方两侧具有P型浮空岛(14)。