技术总结
本发明公开了一种离子注入工艺的精确控制方法，包括选取半导体晶片上后续离子注入区域中至少两个不同特征的关键尺寸进行测量，建立后续离子注入的剂量与不同特征的关键尺寸之间的对应数学关系，通过数据库对不同特征的关键尺寸进行分析，得到后续离子注入的剂量，通过离子注入机剂量控制系统控制后续离子注入时在半导体晶片上的扫描速度，自动调节注入剂量，从而可精确控制单枚晶片的注入剂量补偿，可为相关产品的漏电率问题提供解决方案，并可稳定和提高先进制程的良率。
技术研发人员：邓尚上;赖朝荣;苏俊铭
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610498922
技术研发日：2016.06.30
技术公布日：2016.11.23