技术特征：
技术总结
本发明公开了一种静电放电ESD保护器件以及保护电路的方法，涉及半导体技术领域。该ESD保护器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的半导体鳍片，所述半导体鳍片包括：第一区域、第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别与所述第一区域邻接且互相间隔开；以及在所述半导体鳍片上的栅极结构；其中，所述栅极结构与所述第一掺杂区电连接至相同电位。本发明实现了将栅极结构与第一掺杂区电连接至相同电位。进一步地，本发明可以减小ESD保护器件性能下降的可能性。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2016.08.02
技术公布日：2018.02.09