技术总结
本发明提供了一种激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法，具体步骤如下：首先，采用磁控溅射工艺在硅片表面制备透明导电薄膜；然后，采用激光刻蚀工艺，等距刻蚀透明导电薄膜，制备阵列纳米孔，实现等离激元增强光谱吸收；最后，采用小于700℃低温烧结浆料，制备焊接电极。本发明的方法，可以大幅度的提升晶硅太阳能电池的光生电流，光生电流最佳可以提升8.1%,光电转换效率可以提升1.5%左右。
技术研发人员：冯强;苗成祥;蔡忠兴
受保护的技术使用者：常州天合光能有限公司;天合光能（常州）科技有限公司;湖北天合光能有限公司
文档号码：201610714463
技术研发日：2016.08.24
技术公布日：2016.11.16