技术总结
制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。
技术研发人员：林夏珍;朴起宽;李相烨;李钟汉;任廷爀;洪慧理
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610720187
技术研发日：2016.08.24
技术公布日：2017.03.08