技术总结
本发明属于电子材料与元器件技术领域，涉及信息存储技术，具体涉及一种多层阻变存储器单元及其制备方法，可增大阻变器件存储窗口。从下至上依次为基片、底电极、阻变层、控制层和顶电极，控制层与阻变层的材料相同，但氧含量不同，控制层厚度为1～10nm；且上一层尺寸不超出下一层。本发明通过增加纳米级控制层，使阻变存储器的存储窗口提高了1‑2个数量级，达到多级存储所需的必要条件；并且控制层的加入抑制了氧离子移动过程中在顶电极处的耗散，有效的保护了顶电极，增大了器件的稳定性。另外，该多层阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
技术研发人员：唐晓莉;马国坤;苏桦;钟智勇;张怀武
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2019.06.21