基于LLC谐振电路的改良防干扰电路的制作方法

文档序号:11835791阅读:617来源:国知局

本发明涉及一种电路,具体涉及一种基于LLC谐振电路的改良防干扰电路。



背景技术:

数字化LLC谐振变换器由于其宽范围输入,高转换效率和控制便利性,近年来成为业界关注的热点。随着LLC功率等级,LLC输入电压和功率密度的要求越来越高,谐振电路对小信号的干扰越来越严重,整机可靠性面临比较严峻的考验。

LLC谐振电路正常工作时,主要设计为谐振状态,主要为变压器Lm,谐振电感Lr和谐振电容的充放电过程。由于Lm,Lr,Cr为串联关系,三者的电压要求满足基尔霍夫电压定律,实际换向过程中变压器Lm的电压为近方波波形,谐振电容Cr的电压不能够突变,故换向过程中谐振电感Lr电压dv/dt非常高。特别是在LLC软启动硬开关和动态限流时,对外界的干扰尤为恶劣,会使电源的继电器驱动受到干扰,继电器乱切换,影响电源系统的可靠性。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种基于LLC谐振电路的改良防干扰电路,解决目前的LLC谐振电路中存在的由于电源的继电器受到LLC软启动硬开关的影戏而导致的继电器胡乱切换,影响电源系统可靠性的问题,达到优化电源布局使得干扰源和继电器驱动信号保持足够距离的目的,减少继电器的误触发。

本发明通过下述技术方案实现:

本发明基于LLC谐振电路的改良防干扰电路,包括外接电压源、继电器RLY1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、PNP型三极管Q1、NPN型三极管Q2,稳压二极管D1、稳压二极管D2和驱动脉冲。外接电压源分别与继电器RLY1的一端与电阻R4的一端相连,继电器RLY1的另一端分别与稳压二极管D1的负极与NPN型三极管Q2的集电极相连。稳压二极管D1的正极与稳压二极管D2的负极相连,稳压二极管D2的正极接地。NPN型三极管Q2的集电极与继电器RLY1的一端相连后,NPN型三极管Q2的发射极接地,基极分别与电阻R3、电阻R2和电容C1相连。电阻R3的另一端接地,电容C1的另一端接地。电阻R2的另一端与PNP型三极管Q1的集电极相连。PNP型三极管Q1的发射极与电阻R4相连,基极与电阻R1相连。R1与驱动脉冲相连。通过电阻R3与电容C1并联形成无源RC滤波电路,将LLC谐振电路高频成分的干扰波滤除掉。减少输入波中谐波含量,减少继电器的误触发,提升系统的可靠性。

进一步的,所述电阻R3的阻值为10K KΩ,电阻R2的阻值为1KΩ,电阻R1的阻值为1K KΩ,电阻R4的阻值为1K KΩ,电容C1的容值为0.001μF。

进一步的,电阻R3为10K KΩ,电阻R2为1KΩ,电阻R1为1K KΩ,电阻R4为1K KΩ,电容C1为0.001μF。

本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:

1、本发明基于LLC谐振电路的改良防干扰电路,通过无源RC滤波电路滤除高频成分的干扰波,减少继电器的误触发,增强电源系统的可靠性;

2、本发明电路体积小巧,成本低廉,便于推广和使用。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:

图1为本发明电路图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。

实施例

如图1所示,本发明基于LLC谐振电路的改良防干扰电路,包括外接电压源、继电器RLY1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、PNP型三极管Q1、NPN型三极管Q2,稳压二极管D1、稳压二极管D2和驱动脉冲。外接电压源分别与继电器RLY1的一端与电阻R4的一端相连,继电器RLY1的另一端分别与稳压二极管D1的负极与NPN型三极管Q2的集电极相连。稳压二极管D1的正极与稳压二极管D2的负极相连,稳压二极管D2的正极接地。NPN型三极管Q2的集电极与继电器RLY1的一端相连后,NPN型三极管Q2的发射极接地,基极分别与电阻R3、电阻R2和电容C1相连。电阻R3的另一端接地,电容C1的另一端接地。电阻R2的另一端与PNP型三极管Q1的集电极相连。PNP型三极管Q1的发射极与电阻R4相连,基极与电阻R1相连。R1与驱动脉冲相连。通过电阻R3与电容C1并联形成无源RC滤波电路,将LLC谐振电路高频成分的干扰波滤除掉。减少输入波中谐波含量,减少继电器的误触发,提升系统的可靠性。

进一步的,电阻R3为10K KΩ,电阻R2为1KΩ,电阻R1为1K KΩ,电阻R4为1K KΩ,电容C1为0.001μF。

以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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