技术总结
本发明涉及一种4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法。该方法通过在发射极P+欧姆接触区域浅注入一层高浓度的铝离子，有利于控制欧姆接触退火后欧姆合金层中铝的组分，从而降低了P型4H‑SiC欧姆接触的比接触电阻率，由此解决了4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管发射极P+源区和N+源区同时形成良好的欧姆接触P+源区比接触电阻率高的问题。本发明提供的4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法具有广阔的应用前景。
技术研发人员：陈喜明;李诚瞻;杨程;吴煜东;丁荣军
受保护的技术使用者：株洲中车时代电气股份有限公司
文档号码：201610785087
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2018.03.09