太阳能电池模块的制作方法

文档序号：12129330阅读：187来源：国知局

本发明的实施方式涉及太阳能电池模块。

背景技术：

近来，随着诸如石油和煤炭的现有能源预期将被耗尽，对用于替代现有能源的替代能源的兴趣不断增加。在替代能源当中，用于从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。

太阳能电池通常包括：半导体部件，所述半导体部件分别具有不同的导电类型(例如，p型和n型)，进而形成p-n结；以及电极，所述电极分别连接到不同的导电类型的所述半导体部件。

当光入射在太阳能电池上时，多个电子-空穴对在半导体部件中生成，并且由于入射光而被分离为电子和空穴。电子向n型半导体部件移动，空穴向p型半导体部件移动。然后，电子和空穴被分别连接到n型半导体部件和p型半导体部件的不同的电极收集。电子利用电线彼此连接以由此获得电力。

具有上述构造的多个太阳能电池可以通过互连器彼此连接以形成模块。

技术实现要素：

在一个方面中，提供了一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，其各自包括半导体基板和形成在该半导体基板的后表面上的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在第一方向上延伸并且具有不同的极性；以及导线，它们被设置为在包括在各个太阳能电池中的所述半导体基板的后表面上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述导线通过导电粘合剂连接到所述第一电极和所述第二电极或者通过绝缘层与所述第一电极和所述第二电极绝缘，其中，所述导电粘合剂在所述第一方向上的第一方向长度以及所述绝缘层在所述第一方向上的第一方向长度等于或大于各个导线的线宽并且小于所述导线之间的距离，并且其中，所述绝缘层的第一方向长度大于所述导电粘合剂的第一方向长度。

例如，各个导线的线宽与绝缘层的第一方向长度之间的比率可以是1:1.1至1:2。

另外，各个导线的线宽与导电粘合剂的第一方向长度之间的比率可以是1:1至1:1.25。

各个导线的线宽可以是1mm至2.5mm。导线之间的距离可以等于或大于2mm并且可以等于或小于半导体基板在第二方向上的长度的0.5倍。更优选地，导线之间的距离可以是4mm至8mm。

导电粘合剂的第一方向长度与绝缘层的第一方向长度之间的比率可以是1:1.1至1:1.7。

例如，导电粘合剂的第一方向长度可以是1mm至3mm，绝缘层的第一方向长度可以是1.1mm至4mm。

第一电极和第二电极中的每一个的线宽可以小于导电粘合剂的第一方向长度和绝缘层的第一方向长度。例如，第一电极和第二电极中的每一个的线宽可以是180μm至400μm。

第一电极和第二电极之间的距离可以小于导电粘合剂的第一方向长度和绝缘层的第一方向长度。例如，第一电极和第二电极之间的距离可以是0.5mm至1.5mm。

绝缘层的线宽可以大于导电粘合剂的线宽。例如，导电粘合剂的线宽可以基本上等于第一电极和第二电极中的每一个的线宽。

更具体地说，导电粘合剂的线宽可以是180μm至400μm，绝缘层的线宽可以是200μm至450μm。

各个太阳能电池的半导体基板可以被掺杂有第一导电类型的杂质。各个太阳能电池还可以包括在半导体基板的后表面上的被掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的发射极区域以及比半导体基板更重地掺杂有第一导电类型的杂质的背面场区域。各个第一电极可以连接到发射极区域，各个第二电极可以连接到背面场区域。

导线可以包括第一导线和第二导线，第一导线通过导电粘合剂连接到第一电极并且通过绝缘层与第二电极绝缘，第二导线通过导电粘合剂连接到第二电极并且通过绝缘层与第一电极绝缘。

多个太阳能电池可以包括在第二方向上彼此相邻地布置并且彼此串联连接的第一太阳能电池和第二太阳能电池。互连器可以被设置在第一太阳能电池和第二太阳能电池之间并且可以将第一太阳能电池和第二太阳能电池串联连接。

互连器可以被设置为在第一方向上在第一太阳能电池和第二太阳能电池之间延伸。连接到第一太阳能电池的第一导线和连接到第二太阳能电池的第二导线可以共同连接到互连器。

第一导线和第二导线可以被交替布置在互连器上。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：

图1例示当从后表面看时应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池的组串(string)的示例；

图2是例示应用于图1所示的太阳能电池模块的太阳能电池的示例的部分立体图；

图3是图2所示的太阳能电池在第二方向上的横截面图；

图4是沿着图1的线csx1-csx1截取的横截面图；

图5详细例示导电粘合剂在第一方向上的长度以及绝缘层在第一方向上的长度；以及

图6例示根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的另一示例。

具体实施方式

现在将详细地参照本发明的实施方式，附图中例示了本发明的实施方式的示例。然而，本发明可以按照许多不同的形式来具体实现，并且不应该被理解为限于本文阐述的实施方式。只要可能，全部附图中将使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。要注意的是，如果确定公知技术的详细描述会使本发明的实施方式模糊不清，则将省略这些公知技术的详细描述。

在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件能够直接在另一元件上，或者还可以存在中间元件。相比之下，当一个元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

另外，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“全部”在另一元件上时，该元件可以在所述另一元件的整个表面上，并且不可能在所述另一元件的边缘的一部分上。

在以下描述中，“前表面”可以是半导体基板的一个表面，光直接入射在该表面上，而“后表面”可以是与半导体基板的所述一个表面相对的表面，光不直接入射在该表面上，或者反射光可以入射在该表面上。

图1至图4例示根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的示例。图6例示根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的另一示例。

图1例示当从后表面看时应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池的组串的示例。

如图1所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括多个太阳能电池C1和C2、连接到形成在多个太阳能电池C1和C2中的每一个的后表面上的多个第一电极141和第二电极142的多条第一导线210和第二导线220、以及连接到多条第一导线210和第二导线220并且将多个太阳能电池C1和C2串联连接的互连器300。

在本文公开的实施方式中，多个太阳能电池C1和C2中的每一个包括半导体基板110以及在半导体基板110的后表面上彼此间隔开并且在第一方向x上延伸的多个第一电极141和第二电极142。

多个第一导线210和第二导线220可以通过互连器300将包括在多个太阳能电池当中的两个相邻太阳能电池中的一个太阳能电池中的多个第一电极141串联电连接到包括在另一个太阳能电池中的多个第二电极142。

为此，多个第一导线210和第二导线220可以在与第一电极141和第二电极142的纵向方向(即，第一方向x)交叉的第二方向y上延伸并且可以连接到多个太阳能电池中的每一个。

例如，多个导线200可以包括多个第一导线210和多个第二导线220。

如图1所示，第一导线210可以利用导电粘合剂251连接到包括在各个太阳能电池中的第一电极141，并且可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与各个太阳能电池的第二电极142绝缘。

另外，第二导线220可以利用导电粘合剂251连接到包括在各个太阳能电池中的第二电极142，并且可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与各个太阳能电池的第一电极141绝缘。

第一导线210和第二导线220中的每一个可以连接到位于多个太阳能电池之间并且在第一方向x上延伸的互连器300。因此，多个太阳能电池可以在第二方向y上串联连接。

根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以将绝缘层252在第一方向x上的长度(下文称为“第一方向长度”)L252设置为大于导电粘合剂251在第一方向x上的长度(下文称为“第一方向长度”)L251，以使得在制造工艺中当导线200连接到半导体基板110的后表面时非预期的电极141或142与导线200之间的短路最小化。参照图5对此进行详细描述。

利用包括互连器300作为示例的太阳能电池模块例示和描述本发明的实施方式。然而，如图6所示，可以省略互连器300。当如图6所示省略互连器300时，第一导线210和第二导线220可以组合以形成导线200。另外，第一太阳能电池C1的第一电极141和第二太阳能电池C2的第二电极142可以利用导电粘合剂251连接到导线200，进而多个太阳能电池C1和C2可以彼此串联连接。

以下详细描述多个太阳能电池中的每一个。

图2是例示应用于图1所示的太阳能电池模块的太阳能电池的示例的部分立体图。图3是图2所示的太阳能电池在第二方向上的横截面图。

如图2和图3所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池的示例可以包括防反射层130、半导体基板110、隧道层180、多个发射极区域121、多个背面场区域172、多个本征半导体层150、钝化层190、多个第一电极141和多个第二电极142。

在本文公开的实施方式中，如果期望或者需要，可以省略防反射层130、本征半导体层150、隧道层180和钝化层190。

然而，当太阳能电池包括防反射层130、本征半导体层150、隧道层180和钝化层190时，太阳能电池的效率可以进一步改进。因而，利用包括防反射层130、本征半导体层150、隧道层180和钝化层190的太阳能电池描述本发明的实施方式。

半导体基板110可以由包含第一导电类型的杂质的单晶硅和多晶硅中的至少一种形成。例如，半导体基板110可以由单晶硅晶圆形成。

在本文公开的实施方式中，第一导电类型可以是n型和p型中的一种。

当半导体基板110是p型的时，半导体基板110可以被掺杂有诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质。另选地，当半导体基板110是n型的时，半导体基板110可以被掺杂有诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)的V族元素的杂质。

在以下描述中，利用第一导电类型是n型的示例来描述本发明的实施方式。

半导体基板110的前表面可以是具有多个不平坦部分或者具有不平坦特性的不平坦表面。因而，位于半导体基板110的前表面上的发射极区域121可以具有不平坦表面。

因此，从半导体基板110的前表面反射的光的量可以减小，入射在半导体基板110的内部的光的量可以增加。

防反射层130可以位于半导体基板110的前表面上，以便使从外部入射在半导体基板110的前表面上的光的反射最小化。防反射层130可以由氧化铝(AlOx)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。

隧道层180在与半导体基板110的整个后表面直接接触的同时被设置在半导体基板110的整个后表面上。因而，如图2和图3所示，隧道层180可以使在半导体基板110中生成的载流子通过。

换言之，隧道层180可以使在半导体基板110中生成的载流子通过，并且可以针对半导体基板110的后表面执行钝化功能。

隧道层180可以由在等于或高于600℃的高温下具有强耐久性的包含碳化硅(SiCx)或氧化硅(SiOx)的介电材料形成。可以使用其它材料。例如，隧道层180可以由氮化硅(SiNx)、氢化SiNx、氧化铝(AlOx)、氮氧化硅(SiON)或氢化SiON形成。隧道层180的厚度可以是0.5nm至2.5nm。

多个发射极区域121被设置在半导体基板110的后表面上，并且更具体地说，与隧道层180的后表面的一部分直接接触。多个发射极区域121在第一方向x上延伸。发射极区域121可以由与第一导电类型相反的第二导电类型的多晶硅材料形成。发射极区域121可以与半导体基板110一起形成p-n结，隧道层180插置在其间。

由于各个发射极区域121与半导体基板110一起形成p-n结，发射极区域121可以是p型的。然而，如果与上述实施方式不同，半导体基板110是p型的，则发射极区域121可以是n型的。在该情况下，分离的电子可以向多个发射极区域121移动，分离的空穴可以向多个背面场区域172移动。

回到本发明的实施方式，当发射极区域121是p型的时，发射极区域121可以被掺杂有诸如B、Ga和In的III族元素的杂质。相反，如果发射极区域121是n型的，则发射极区域121可以被掺杂有诸如P、As和Sb的V族元素的杂质。

多个背面场区域172被设置在半导体基板110的后表面上。更具体地说，多个背面场区域172可以与隧道层180的后表面的(与多个发射极区域121中的每一个间隔开的)一部分直接接触。多个背面场区域172可以在与多个发射极区域121平行的第一方向x上延伸。

背面场区域172可以由比半导体基板110更重地掺杂有第一导电类型的杂质的多晶硅材料形成。因而，当半导体基板110掺杂有例如n型杂质时，多个背面场区域172中的每一个可以是n⁺型区域。

由于半导体基板110和背面场区域172的杂质浓度之间的差异而形成势垒。

因此，背面场区域172能够通过势垒来防止或减少空穴向背面场区域172(其用作电子的移动路径)移动，并且能够使得载流子(例如，电子)更容易地向背面场区域172移动。

因而，本发明的实施方式能够减少由于电子和空穴在背面场区域172处或其附近或者在第一电极141和第二电极142处或其附近的复合和/或消失而丢失的载流子的量。

图2和图3作为示例例示发射极区域121和背面场区域172利用多晶硅材料形成在隧道层180的后表面上。与图2和图3不同，如果隧道层180被省略，则可以通过使杂质扩散到半导体基板110的后表面中来对发射极区域121和背面场区域172进行掺杂。在该情况下，发射极区域121和背面场区域172可以由与半导体基板110相同的材料(例如，单晶硅)形成。

本征半导体层150可以形成在隧道层180的在发射极区域121和背面场区域172之间暴露的后表面上。

与发射极区域121和背面场区域172不同，本征半导体层150可以形成为本征多晶硅层，其没有被掺杂第一导电类型的杂质或第二导电类型的杂质。

另外，如图2和图3所示，本征半导体层150可以被配置为使得两侧分别与发射极区域121的侧面和背面场区域172的侧面直接接触。

钝化层190去除由于在形成在背面场区域172、本征半导体层150和发射极区域121处的多晶硅层的后表面中形成的悬空键而导致的缺陷，进而能够防止半导体基板110中生成的载流子由于悬空键而复合或消失。

为此，钝化层190可以覆盖半导体基板110的后表面中的除了形成有第一电极141和第二电极142的部分以外的其余部分。

钝化层190可以由介电材料形成。例如，钝化层190可以由氢化氮化硅(SiNx：H)、氢化氧化硅(SiOx：H)、氢化氮化硅氧化物(SiNxOy：H)、氢化氮氧化硅(SiOxNy：H)和氢化非晶硅(a-Si：H)中的至少一种形成。

第一电极141可以连接到发射极区域121，并且可以在第一方向x上延伸。第一电极141可以收集向发射极区域121移动的载流子(例如，空穴)。

第二电极142可以连接到背面场区域172，并且可以在与第一电极141平行的第一方向x上延伸。第二电极142可以收集向背面场区域172移动的载流子(例如，电子)。

如图1所示，第一电极141和第二电极142可以在第一方向x上延伸并且可以在第二方向y上交替设置。

第一电极141和第二电极142可以包括与导线200和导电粘合剂251不同的金属材料。例如，第一电极141和第二电极142中的每一个可以形成为包括钛(Ti)、银(Ag)、镍钒(NiV)合金、镍(Ni)、镍铝(NixAly)合金、钼(Mo)或锡(Sn)中的至少一种的至少一层。

第一电极141和第二电极142可以利用溅射法、电子束蒸发器、无电镀法和电镀法中的一种来形成。

在根据本发明的实施方式的具有上述结构的太阳能电池中，由第一电极141收集的空穴和由第二电极142收集的电子可以通过外部电路装置而用作外部装置的电力。

应用于根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池不限于图2和图3。除了包括在太阳能电池中的第一电极141和第二电极142被形成在半导体基板110的后表面上以外，太阳能电池的组件可以按照各种形式改变。

例如，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以使用金属环绕穿通(MWT)太阳能电池，该MWT太阳能电池被配置为使得第一电极141的一部分和发射极区域121位于半导体基板110的前表面上，并且第一电极141的该一部分通过半导体基板110的孔连接到第一电极141的形成在半导体基板110的后表面上的其余部分。

图4例示了横截面图，其中各自具有上述构造的多个太阳能电池利用如图1所示的导线200和互连器300串联连接。

更具体地说，图4是沿着图1的线csx1-csx1截取的横截面图。

如图4所示，包括第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2的多个太阳能电池可以被布置在第二方向y上。

包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的多个第一电极141和第二电极142的纵向方向可以对应于第一方向x。

如上所述布置在第二方向y上的第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2可以利用第一导线210和第二导线220以及互连器300在第二方向y上彼此串联连接以形成组串。

第一导线210和第二导线220以及互连器300可以由导电金属材料形成。第一导线210和第二导线220可以连接到各个太阳能电池的半导体基板110的后表面并且然后连接到用于太阳能电池的串联连接的互连器300。

第一导线210和第二导线220中的每一个可以具有具有圆形横截面的导电线状或者线宽大于厚度的带状。

更具体地说，多个第一导线210可以与包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的每一个中的多个第一电极141交叠，并且可以通过导电粘合剂251连接到多个第一电极141。另外，多个第一导线210可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的每一个中的多个第二电极142绝缘。

在该情况下，如图1和图4所示，多个第一导线210中的每一个可以朝向设置在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间的互连器300向半导体基板110的外部突出。

多个第二导线220可以与包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的每一个中的多个第二电极142交叠，并且可以通过导电粘合剂251连接到多个第二电极142。另外，多个第二导线220可以通过由绝缘材料形成的绝缘层252与包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的每一个中的多个第一电极141绝缘。

在该情况下，如图1和图4所示，多个第二导线220中的每一个可以朝向设置在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间的互连器300向半导体基板110的外部突出。

导电粘合剂251可以由包含锡(Sn)或含锡合金的金属材料形成。导电粘合剂251可以被形成为包含锡或含锡合金的焊膏、环氧树脂焊膏(其中，在环氧树脂中包含锡或含锡合金)和导电膏中的一种。

例如，当导电粘合剂251被形成为焊膏时，焊膏可以包括Sn、SnBi、SnIn、SnAgCu、SnPb、SnBiCuCo、SnBiAg、SnPbAg或SnAg的至少一种金属材料。当导电粘合剂251被形成为环氧树脂焊膏时，环氧树脂焊膏可以通过在环氧树脂中包含Sn、SnBi、SnIn、SnAgCu、SnPb、SnBiCuCo、SnBiAg、SnPbAg或SnAg的至少一种金属材料来形成。

另外，当导电粘合剂251被形成为导电膏时，导电膏可以通过在树脂(例如，环氧树脂)中包含Sn、SnBi、Ag、AgIn或AgCu的至少一种金属材料来形成。

绝缘层252可以由任何材料制成，只要使用的是绝缘材料即可。例如，绝缘层252可以使用基于环氧树脂的树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、基于丙烯酸树脂的树脂和基于硅树脂的树脂的一种绝缘材料。

如图1的放大视图所示，导电粘合剂251可以仅位于第一电极或第二电极的位于与导线200交叉的部分中的后表面上。

绝缘层252不仅可以位于第一电极或第二电极的位于与导线200交叉的部分中的后表面上，而且可以位于半导体基板110的在第一电极或第二电极的后表面周围的后表面上。

当导电粘合剂251和绝缘层252位于上述位置处时，能够更高效地防止非预期的电极与导线200之间的短路。

如图1和图4所示，连接到各个太阳能电池的后表面的第一导线210和第二导线220中的每一个中的向半导体基板110的外部突出的一部分可以共同连接到互连器300的在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间的后表面。因而，多个太阳能电池C1和C2可以在第二方向y上彼此串联连接以形成组串。

在具有上述结构的太阳能电池模块中，当在多个太阳能电池中生成第一导线210和第二导线220与第一电极141和第二电极142之间的不良连接时，具有不良连接的太阳能电池的第一导线210和第二导线220可以与互连器300断开。因此，能够容易地仅替换不良的太阳能电池。

以下详细描述导电粘合剂251的第一方向长度L251和绝缘层252的第一方向长度L252。

图5详细例示导电粘合剂在第一方向上的长度以及绝缘层在第一方向上的长度。更具体地说，图5例示导线200附接到半导体基板110的后表面的一部分的放大视图的示例。

图5中将简要描述或者完全省略与以上描述重复的描述。另外，利用图1至图4例示的太阳能电池模块作为示例来例示图5的配置。然而，图5的配置可以同样应用于图6所示的太阳能电池模块的另一示例。

如图5所示，导电粘合剂251的第一方向长度L251和绝缘层252的第一方向长度L252可以等于或大于各个导线200的线宽W200并且可以小于导线200之间的距离D200。

如图5所示，导电粘合剂251的第一方向长度L251指示导电粘合剂251的在与导线200交叠的同时在第一方向x上突出的两端之间的最大长度。另外，绝缘层252的第一方向长度L252指示绝缘层252的在与导线200交叠的同时在第一方向x上突出的两端之间的最大长度。

如上所述，导电粘合剂251的第一方向长度L251和绝缘层252的第一方向长度L252可以等于或大于导线200的线宽W200并且可以小于导线200之间的距离D200。

在该情况下，绝缘层252的第一方向长度L252可以大于导电粘合剂251的第一方向长度L251。

由此，导线200与多个第一电极141和第二电极142之间的接触电阻能够通过在用于将导线200连接到半导体基板110的后表面的固接工艺期间将导线200充分连接到导电粘合剂251来充分减小。

另外，当如上所述导电粘合剂251的第一方向长度L251小于绝缘层252的第一方向长度L252时，非预期的电极141或142与导线200之间的短路能够在用于将导线200连接到半导体基板110的后表面的固接工艺期间最小化。

然而，当导电粘合剂251的第一方向长度L251等于或大于绝缘层252的第一方向长度L252时，导电粘合剂251可以扩展到具有不同极性并且与导电粘合剂251所接触的电极相邻的电极，并且导电粘合剂251可以连接到不同极性的该电极。因此，可能生成非预期的电极141或142与导线200之间的短路。

另一方面，在本发明的实施方式中，由于绝缘层252的第一方向长度L252大于导电粘合剂251的第一方向长度L251，所以即使导电粘合剂251在固接工艺期间在第二方向y上扩展，也能够预先防止导电粘合剂251连接到具有不同极性的相邻电极。因此，太阳能电池模块的缺陷可能性能够被最小化。

更具体地说，绝缘层252的第一方向长度L252可以大于导线200的线宽W200并且可以小于导线200之间的距离D200。例如，导线200的线宽W200与绝缘层252的第一方向长度L252之间的比率可以是1:1.1至1:2。

当在如上所述的1:1.1的比率绝缘层252的第一方向长度L252大于导线200的线宽W200时，能够确保工艺裕量，以使得即使一些导线200被轻微倾斜地布置，也能够合适地防止非预期的电极与导线200之间的短路。另外，当导线200的线宽W200与绝缘层252的第一方向长度L252之间的比率等于或小于1:2时，能够通过防止绝缘层252的过度使用来减少制造成本。

例如，导线200的线宽W200可以是1mm至2.5mm，导线200之间的距离D200可以等于或大于2mm并且可以等于或小于半导体基板110在第一方向x上的长度的0.5倍。更优选地，导线200之间的距离D200可以是4mm至8mm。

另外，绝缘层252的第一方向长度L252可以等于或大于导线200的线宽W200并且可以小于导线200之间的距离D200。优选地，考虑到工艺裕量、防止短路以及制造成本，绝缘层252的第一方向长度L252可以是1.1mm至4mm。

导电粘合剂251的第一方向长度L251可以等于或大于导线200的线宽W200并且可以小于绝缘层252的第一方向长度L252。

例如，导线200的线宽W200与导电粘合剂251的第一方向长度L251之间的比率可以是1:1至1:1.25。

当导线200的线宽W200与导电粘合剂251的第一方向长度L251之间的比率等于或大于1:1时，导线200可以通过导电粘合剂251更稳定地附接到非预期的电极，导线200与非预期的电极之间的接触电阻能够充分地减小。当导线200的线宽W200与导电粘合剂251的第一方向长度L251之间的比率等于或效于1:1.25时，能够通过使导电粘合剂251的使用最小化来减小制造成本。

换言之，导电粘合剂251的第一方向长度L251可以等于或大于导线200的线宽W200并且可以小于绝缘层252的第一方向长度L252。优选地，考虑到上述接触电阻和制造成本，导电粘合剂251的第一方向长度L251可以是1mm至3mm。

导电粘合剂251的第一方向长度L251与绝缘层252的第一方向长度L252之间的比率可以是1:1.1至1:1.7。当导电粘合剂251的第一方向长度L251与绝缘层252的第一方向长度L252之间的比率等于或大于1:1.1时，能够防止非预期的电极与导线200之间的短路。

当导电粘合剂251的第一方向长度L251与绝缘层252的第一方向长度L252之间的比率等于或小于1:1.7时，本发明的实施方式能够在防止绝缘层252的过度使用的同时，确保固接工艺期间的适当工艺裕量。

另外，第一电极141的线宽W141和第二电极142的线宽W142可以小于导电粘合剂251的第一方向长度L251和绝缘层252的第一方向长度L252。例如，第一电极141的线宽W141和第二电极142的线宽W142可以是180μm至400μm。

第一电极141和第二电极142之间的距离DE可以小于导电粘合剂251的第一方向长度L251和绝缘层252的第一方向长度L252。例如，第一电极141和第二电极142之间的距离DE可以是0.5mm至1.5mm。

导电粘合剂251的线宽W251可以小于导电粘合剂251的第一方向长度L251，绝缘层252的线宽W252可以小于绝缘层252的第一方向长度L252。

更具体地说，考虑到防止短路，绝缘层252的线宽W252可以大于导电粘合剂251的线宽W251。例如，绝缘层252的线宽W252可以是200μm至450μm，导电粘合剂251的线宽W251可以是180μm至400μm。

在该情况下，导电粘合剂251的线宽W251可以基本上等于第一电极141的线宽W141和第二电极142的线宽W142。

尽管已经参照本公开的多个例示性实施方式描述了实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地说，可以在本公开、附图和所附权利要求书的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外，对于本领域技术人员而言，替代使用也将是显而易见的。