保护电路和集成电路的制作方法

文档序号:13936245阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种保护电路和集成电路,所述保护电路包括:释放通路,适于进行静电释放,所述释放通路包括:电熔丝;控制单元,适于在所述释放通路完成静电释放之后熔断所述电熔丝。本发明的电熔丝未熔断之前,释放通路可以正常进行静电释放以保护晶圆(或芯片)。静电释放完成后,控制单元熔断电熔丝,使得释放通路断开与晶圆(或芯片)的连接关系,避免引入寄生电容和寄生电阻,从而克服了信号的传输延迟。

技术研发人员:甘正浩
受保护的技术使用者:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日:2016.09.05
技术公布日:2018.03.13
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