1.一种电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,依次包括:处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却,
在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前,还包括:生长SiInN/SiAlN超晶格电流扩展层,
所述生长SiInN/SiAlN超晶格电流扩展层为:
保持反应腔压力300mbar-400mbar、保持温度800℃-900℃,通入流量为30000sccm-60000sccm的NH3、100sccm-200sccm的TMAl、1000sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N2、1sccm-5sccm的SiH4,生长SiInN/SiAlN超晶格电流扩展层,
所述生长SiInN/SiAlN超晶格电流扩展层,具体为:
保持反应腔压力300mbar-400mbar、保持温度800℃-900℃,通入流量为30000sccm-60000sccm的NH3、1000sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N2、1sccm-5sccm的SiH4,生长厚度为1nm-5nm的SiInN层;
保持反应腔压力300mbar-400mbar、保持温度800℃-900℃,通入流量为30000sccm-60000sccm的NH3、100sccm-200sccm的TMAl、100L/min-130L/min的N2、1sccm-5sccm的SiH4,生长厚度为5nm-10nm的SiAlN层,其中,Si掺杂浓度为1E17atoms/cm3-5E17atoms/cm3;
周期性生长所述SiInN层和所述SiAlN层,生长周期为10-20,
生长所述SiInN层和生长所述SiAlN层的顺序可互换。
2.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述处理衬底为:在1000℃-1100℃的H2气氛下,通入100L/min-130L/min的H2,保持反应腔压力100mbar-300mbar,处理蓝宝石衬底8min-10min。
3.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长低温缓冲层为:
降低温度至500℃-600℃,保持反应腔压力300mbar-600mbar,通入流量为10000sccm-20000sccm NH3、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2,在蓝宝石衬底上生长厚度为20nm-40nm的低温缓冲层GaN。
4.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长不掺杂GaN层为:
升高温度到1000℃-1200℃,保持反应腔压力300mbar-600mbar,通入流量为30000sccm-40000sccm的NH3、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。
5.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长掺杂Si的N型GaN层为:
保持反应腔压力、温度不变,通入流量为30000sccm-60000sccm的NH3、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、20sccm-50sccm的SiH4,持续生长3μm-4μm掺杂Si的N型GaN,Si掺杂浓度5E18atoms/cm3-1E19atoms/cm3;
保持反应腔压力、温度不变,通入流量为30000sccm-60000sccm的NH3、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、2sccm-10sccm的SiH4,持续生长200nm-400nm掺杂Si的N型GaN,Si掺杂浓度5E17atoms/cm3-1E18atoms/cm3。
6.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长发光层为:
保持反应腔压力300mbar-400mbar、温度700℃-750℃,通入流量为50000sccm-70000sccm的NH3、20sccm-40sccm的TMGa、1500sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N2,生长掺杂In的厚度为2.5nm-3.5nm的InxGa(1-x)N层,x=0.20-0.25,发光波长450nm-455nm;
接着升高温度至750℃-850℃,保持反应腔压力300mbar-400mbar,通入流量为50000sccm-70000sccm的NH3、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N2,生长8nm-15nm的GaN层;
重复InxGa(1-x)N的生长,然后重复GaN的生长,交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层,控制周期数为7-15个。
7.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长P型AlGaN层为:
保持反应腔压力200mbar-400mbar、温度900℃-950℃,通入流量为50000sccm-70000sccm的NH3、30sccm-60sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、100sccm-130sccm的TMAl、1000sccm-1300sccm的Cp2Mg,持续生长50nm-100nm的P型AlGaN层,Al掺杂浓度1E20atoms/cm3-3E20atoms/cm3,Mg掺杂浓度1E19atoms/cm3-1E20atoms/cm3。
8.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述生长掺杂Mg的P型GaN层为:
保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃,通入流量为50000sccm-70000sccm的NH3、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、1000sccm-3000sccm的Cp2Mg,持续生长50nm-100nm的掺Mg的P型GaN层,Mg掺杂浓度1E19atoms/cm3-1E20atoms/cm3。
9.根据权利要求1所述电流扩展层的外延生长方法,其特征在于,
所述降温冷却为:
降温至650℃-680℃,保温20min-30min,接着关闭加热系统、关闭给气系统,随炉冷却。