一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置与流程

技术特征：

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上依次形成层叠的像素电极的图形、绝缘层薄膜、漏极的图形、钝化层薄膜、以及光刻胶薄膜；其中，所述像素电极的图形包括与所述漏极的图形交叠的区域和无交叠的区域；

利用半色调掩膜版对所述光刻胶薄膜进行曝光显影，在所述光刻胶薄膜中形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述光刻胶完全去除区域位于所述光刻胶薄膜中与所述无交叠的区域对应的区域内，并且所述光刻胶完全去除区域在所述衬底基板的正投影，与所述交叠区域在所述衬底基板的正投影的最小距离大于第一预设距离；所述光刻胶部分保留区域覆盖所述交叠区域及从该区域至所述光刻胶完全去除区域之间的区域；

利用刻蚀工艺和所述光刻胶薄膜，在所述钝化层薄膜和所述绝缘层薄膜中刻蚀形成所述像素电极的图形和所述漏极的图形的搭接过孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用刻蚀工艺和所述光刻胶薄膜，在所述钝化层薄膜和所述绝缘层薄膜中刻蚀形成所述像素电极的图形和所述漏极的图形的搭接过孔，包括：

利用刻蚀工艺和所述光刻胶完全去除区域，刻蚀位于所述钝化层薄膜的过孔和所述绝缘层薄膜中的过孔；其中，在所述钝化层薄膜中刻蚀的过孔所在区域在所述衬底基板的正投影，与所述交叠区域在所述衬底基板的正投影的最小距离大于第二预设距离；

对光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的光刻胶薄膜进行灰化处理，完全去除光刻胶部分保留区域对应的光刻胶薄膜以暴露出所述交叠区域内的钝化层薄膜，同时部分去除光刻胶完全保留区域的光刻胶薄膜；

利用刻蚀工艺刻蚀所述交叠区域内的钝化层薄膜，暴露出所述漏极的图形的一端，以形成所述搭接过孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设距离不小于刻蚀所述钝化层薄膜时的横向刻蚀量。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述钝化层薄膜为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；所述钝化层薄膜的厚度的范围为所述刻蚀所述钝化层薄膜时的横向刻蚀量为1μm～2μm。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设距离不小于刻蚀所述绝缘层薄膜时的横向刻蚀量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述绝缘层薄膜为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；所述绝缘层薄膜的厚度的范围为所述刻蚀所述绝缘层薄膜时的横向刻蚀量为0.5μm～1.5μm。

7.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板是采用权利要求1～6任一项所述的方法制作得到的。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求7所述的显示基板。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8所述的显示面板。