1.一种芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述测试结构设于绝缘介质层中，包括至少两条测试线路，每条测试线路包括至少两层金属线，不同层金属线之间通过通孔依次连接形成金属互连线的链式结构，不同测试线路的金属互连线的链式结构之间存在交叠区；其中，交叠区相交叠的两个金属线位于不同层，不同测试线路中位于同层的金属线同向排列。
2.根据权利要求1所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个基本单元，每个所述基本单元由位于不同层的两个金属线交叠构成，每个基本单元中任意一个金属线的一端通过通孔与另外一个基本单元中位于另一层的另一个金属线的一端电连接，从而形成由重复排列的多个基本单元所构成的交叠的测试线路，各基本单元中，位于同层的金属线同向排列。
3.根据权利要求1或2所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，位于同层的金属线呈平行排列，位于不同层且相交叠的金属线呈垂直排列。
4.根据权利要求1或2所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述测试线路通过与过渡金属线的连接形成转折。
5.根据权利要求1或2所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述通孔为单层通孔结构或堆叠形式的通孔结构。
6.根据权利要求1或2所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述金属线为金线或铜线。
7.根据权利要求1所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，所述绝缘介质层由低介电常数的绝缘层材料形成。
8.一种芯片-封装相互作用测试方法，采用权利要求1-7任意一项所述的芯片-封装相互作用测试结构，其特征在于，包括：将测试结构接入测试电路中，通过监测同一测试线路中的电阻变化，来评估封装对金属互连线的影响；通过监测不同测试线路间漏电或电容的变化，来评估封装对绝缘介质层绝缘介质的影响。
9.根据权利要求8所述的芯片-封装相互作用测试方法，其特征在于，通过监测同一测试线路中的电阻变化，以判断金属互连线的断裂现象。
10.根据权利要求8所述的芯片-封装相互作用测试方法，其特征在于，通过监测不同测试线路的通孔与通孔之间、金属线与金属线之间以及金属线与通孔之间的漏电或电容变化，以判断绝缘介质的破裂现象。