技术总结
本发明公开了一种易失性与非易失性混合存储器及其制备方法，多功能存储器包括基底、底电极、存储活性层和顶电极；所述底电极位于基底表面，所述存储活性层位于交叉的底电极与顶电极之间；制备方法包括：(1)湿法制备底电极，(2)在底电极上湿法制备存储活性层，(3)在中间层上湿法制备顶电极。本发明的存储器件具有独特的易失性与非易失性混合存储性能、较高的透明度、优良的耐久性与可靠性以及可全湿法制备特性，为后摩尔时代半导体科学技术的发展开拓了新领域。
技术研发人员：刘举庆;时瑞;黄维;刘洋;王展;曹立君
受保护的技术使用者：南京工业大学
文档号码：201610862100
技术研发日：2016.09.28
技术公布日：2017.01.11