半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备与流程

技术总结
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，第一源/漏层与沟道层之间以及沟道层与第二源/漏层具有由掺杂浓度突变定义的界面；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。

技术研发人员：朱慧珑
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201610872436
技术研发日：2016.09.30
技术公布日：2017.01.04