技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法，所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构，在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层，并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压，使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层，在单个薄膜晶体管存储器中存储2位4值信息。采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同，并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价，适用于当前的薄膜晶体管存储器，具有较强的可行性。
技术研发人员：高旭;王穗东;刘艳花;徐建龙;仲亚楠;张中达
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2016.10.20
技术公布日：2018.05.01